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公开(公告)号：CN100485975C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极-电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能。
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公开(公告)号：CN101397651A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810201997.1
申请日：2008-10-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。
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公开(公告)号：CN101038942A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极－电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅，属半导体探测器件技术领域。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能，其特征为，在阴极和共面栅阳极端面之间的晶片侧面包有环绕晶体的如聚四氟乙烯或涤纶等绝缘介质薄膜材料，形成环绕晶体侧面的绝缘介质薄膜环套，然后再在介质材料上沉积或包覆金属层形成环绕绝缘介质薄膜的金属环套，金属环套一边紧靠阴极端面，另一边与阳极端面保留有晶片侧面高度(即器件厚度)1/2～1/10的间距，介质环套和包覆其上的金属环套和一起构成器件侧面电容栅，该电容栅与阴极电连接，以达到与阴极同电位。
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