公开(公告)号：CN107979909A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710993086.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东协 ,  成德镛 ,  禹济宪 ,  金俸奭 ,  李柱昊 ,  全允珖 ,  赵贞贤

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。

公开(公告)号：CN118248512A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311186594.5

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌宪 ,  南象基 ,  尹贵玹 ,  李基浩 ,  李相昊 ,  李相昕 ,  李在民 ,  赵贞贤 ,  崔舒筵

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理设备，该等离子体处理设备包括：位于一腔室中的衬底卡盘；围绕所述衬底卡盘的外周边的约束环；位于所述约束环上的可移动环；和被配置为使所述可移动环移动的致动器，其中，通过所述可移动环的移动来敞开或封闭形成在所述约束环中的开槽。另外，提供了使用该等离子体处理设备的等离子体处理方法。

公开(公告)号：CN107039263B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201710064379.6

申请日：2017-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴皓用 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  赵贞贤 ,  崔明善

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。

公开(公告)号：CN107039263A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710064379.6

申请日：2017-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴皓用 ,  姜南俊 ,  成德镛 ,  沈承辅 ,  赵贞贤 ,  崔明善

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/90 ,  H01J37/32137

Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。

公开(公告)号：CN111009607B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201910887355.X

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵贞贤 ,  郑有真 ,  寺井真之 ,  尹镇灿

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。

公开(公告)号：CN107979909B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710993086.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东协 ,  成德镛 ,  禹济宪 ,  金俸奭 ,  李柱昊 ,  全允珖 ,  赵贞贤

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。

公开(公告)号：CN111009607A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910887355.X

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵贞贤 ,  郑有真 ,  寺井真之 ,  尹镇灿

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。