半导体器件
    4.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118338672A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202311557144.2

    申请日:2023-11-21

    Inventor: 郑有真 许廷焕

    Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底,所述衬底具有由隔离层限定的有源区;字线,所述字线跨过所述有源区并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸,所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽。所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度,并且所述第一子字线沟槽的下表面与所述有源区的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区的上表面之间的第二距离。

    可变电阻存储器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111009607B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201910887355.X

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 一种可变电阻存储器件包括:衬底,所述衬底包括外围区域和核心区域,所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域;第一导线,所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸;第二导线,所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;和存储单元,所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元,其中,所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。

    可变电阻存储器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009607A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910887355.X

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 一种可变电阻存储器件包括:衬底,所述衬底包括外围区域和核心区域,所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域;第一导线,所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸;第二导线,所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;和存储单元,所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元,其中,所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。

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