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公开(公告)号:CN118553716A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202311487028.8
申请日:2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/04 , H01L21/768
Abstract: 描述了一种半导体器件,包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。
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公开(公告)号:CN106971104A
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201610838829.8
申请日:2016-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F21/51 , G06F2221/034 , H04L63/08 , G06F21/44
Abstract: 一种电子设备包括配置为存储应用的存储器、通信接口和处理器。处理器配置为接收用于安装或执行应用的请求,验证是否认证了该应用,将用于执行该应用的图标的至少一部分和与该应用的安全性相关联的安全指示进行比较。电子设备基于是否认证了该应用,来提供将图标的至少一部分与安全指示进行比较的结果。
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公开(公告)号:CN102374735A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110241057.7
申请日:2011-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D23/02
CPC classification number: F25D23/028 , F25D23/04 , F25D25/024 , F25D2323/021 , F25D2400/06 , F25D2400/18
Abstract: 本发明提供了一种冰箱,所述冰箱包括旋转打开/关闭型的左侧门和右侧门以及设置在左侧门和右侧门之间的滑动门。左侧旋转打开/关闭型门和右侧旋转打开/关闭型门具有改进的边缘细长的结构,从而门的厚度被隐藏。所述滑动门包括用于容纳食物的门搁物架。
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公开(公告)号:CN118338672A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202311557144.2
申请日:2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底,所述衬底具有由隔离层限定的有源区;字线,所述字线跨过所述有源区并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸,所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽。所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度,并且所述第一子字线沟槽的下表面与所述有源区的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区的上表面之间的第二距离。
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公开(公告)号:CN111009607B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN201910887355.X
申请日:2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括:衬底,所述衬底包括外围区域和核心区域,所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域;第一导线,所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸;第二导线,所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;和存储单元,所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元,其中,所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。
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公开(公告)号:CN106971104B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN201610838829.8
申请日:2016-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括配置为存储应用的存储器、通信接口和处理器。处理器配置为接收用于安装或执行应用的请求,验证是否认证了该应用,将用于执行该应用的图标的至少一部分和与该应用的安全性相关联的安全指示进行比较。电子设备基于是否认证了该应用,来提供将图标的至少一部分与安全指示进行比较的结果。
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公开(公告)号:CN111009607A
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:CN201910887355.X
申请日:2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括:衬底,所述衬底包括外围区域和核心区域,所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域;第一导线,所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸;第二导线,所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;和存储单元,所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元,其中,所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。
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