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公开(公告)号：CN110858498B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201910460010.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹镇灿
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种电阻型存储器器件，包括：在第一方向上延伸的第一导线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线；以及连接第一导线和第二导线的存储器单元，其中，存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储层和第一加热电极层，第一加热电极层包括与第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，第二加热电极层包括与第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且第二接触表面具有与第一接触不同的第二接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947235A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411479999.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：多个下沟道图案，彼此间隔开；多个上沟道图案，在所述多个下沟道图案上彼此间隔开；栅极结构，围绕所述多个下沟道图案和所述多个上沟道图案；下源极/漏极沟槽，位于所述多个下沟道图案的至少一侧；上源极/漏极沟槽，位于所述多个上沟道图案的至少一侧；下源极/漏极图案，位于下源极/漏极沟槽内；以及上源极/漏极图案，包括位于上源极/漏极沟槽的相对侧壁上的第一上源极/漏极层以及位于第一上源极/漏极层之间的第二上源极/漏极层，其中第一上源极/漏极层不覆盖上源极/漏极沟槽的底表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110858498A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910460010.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹镇灿
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种电阻型存储器器件，包括：在第一方向上延伸的第一导线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线；以及连接第一导线和第二导线的存储器单元，其中，存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储层和第一加热电极层，第一加热电极层包括与第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，第二加热电极层包括与第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且第二接触表面具有与第一接触不同的第二接触电阻。
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公开(公告)号：CN119403217A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410577243.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了一种半导体器件。所述半导体器件包括在衬底上位于有源区域上方的下沟道层和上沟道层。所述半导体器件还包括设置在所述下沟道层与所述上沟道层之间的中间绝缘结构。所述半导体器件包括：栅极结构，围绕所述沟道层；以及下源极/漏极区域和上源极/漏极区域，在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区域上。阻挡结构在所述下源极/漏极区域与所述上源极/漏极区域之间。所述下源极/漏极区域和所述上源极/漏极区域可以各自分别填充下凹陷区域或上凹陷区域。这些凹陷区域由相应的沟道层、所述栅极结构和所述阻挡结构限定。所述上凹陷区域和所述下凹陷区域的侧表面斜率可以变化，并且所述凹陷区域的侧表面斜率可以彼此不同。
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公开(公告)号：CN111009607B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910887355.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。
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公开(公告)号：CN111009607A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910887355.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。
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