-
-
公开(公告)号：CN1146961C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99111093.5
申请日：1999-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/3185
Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。
-
公开(公告)号：CN108155189A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247712.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76885 , H01L21/76897 , H01L23/522 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L29/0649 , H01L29/4983
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
-
公开(公告)号：CN103779393A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310491132.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/26513 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
-
公开(公告)号：CN1222753A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98125611.2
申请日：1998-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/31144 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10873 , H01L27/10888
Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层;在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层;在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形,以暴露所说有源区和部分无源区;腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层,形成自对准接触开口;去掉掩模图形;在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层;平面化腐蚀导电层和层间介质层,从而至少形成两个接触焊盘。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155189B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711247712.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。
-
公开(公告)号：CN108231774A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711274103.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L23/147 , H01L21/76205 , H01L21/76227 , H01L21/76229 , H01L27/10894 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。
-
公开(公告)号：CN103779393B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310491132.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/26513 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
-
公开(公告)号：CN1157763C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN98125611.2
申请日：1998-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/31144 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10873 , H01L27/10888
Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。
-
公开(公告)号：CN1244032A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111093.5
申请日：1999-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/3185
Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时,该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤,从而可以形成无空隙的电介质层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.021 seconds)
