公开(公告)号：CN101533892A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127435.1

申请日：2009-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳庚昶 ,  郑弘植 ,  郑基泰 ,  金亨俊 ,  林东源

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。

公开(公告)号：CN1747060B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200510091996.2

申请日：2005-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元哲 ,  金奇南 ,  郑弘植 ,  郑基泰 ,  朴哉炫

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。

公开(公告)号：CN100428442C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03123469.0

申请日：2003-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑弘植 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一个实施例中，包括栅电极和覆盖栅电极的绝缘层的多个栅极结构形成在半导体衬底上。使用栅极结构作为掩模，低剂量的杂质离子注入到半导体衬底内形成源/漏区。第一绝缘间隔层形成在栅极结构的侧壁上，第二绝缘间隔层形成在第一绝缘间隔层上。此后使用第一和第二绝缘间隔层作为掩模，高剂量的杂质离子注入到半导体衬底内形成源/漏区。然后除去第二绝缘间隔层。因此，通过调节有效沟道长度和接触电阻可以提高接触电阻和晶体管的特性。

公开(公告)号：CN1222753A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98125611.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  郑弘植 ,  李宰求 ,  姜昌珍 ,  郑相燮 ,  郑澈 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层;在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层;在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形,以暴露所说有源区和部分无源区;腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层,形成自对准接触开口;去掉掩模图形;在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层;平面化腐蚀导电层和层间介质层,从而至少形成两个接触焊盘。

公开(公告)号：CN1157763C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN98125611.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  郑弘植 ,  李宰求 ,  姜昌珍 ,  郑相燮 ,  郑澈 ,  郑灿旭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。

公开(公告)号：CN1747060A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510091996.2

申请日：2005-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元哲 ,  金奇南 ,  郑弘植 ,  郑基泰 ,  朴哉炫

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00 ,  H01L43/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。

公开(公告)号：CN1458683A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03123469.0

申请日：2003-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑弘植 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10873 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一个实施例中，包括栅电极和覆盖栅电极的绝缘层的多个栅极结构形成在半导体衬底上。使用栅极结构作为掩模，低剂量的杂质离子注入到半导体衬底内形成源/漏区。第一绝缘间隔层形成在栅极结构的侧壁上，第二绝缘间隔层形成在第一绝缘间隔层上。此后使用第一和第二绝缘间隔层作为掩模，高剂量的杂质离子注入到半导体衬底内形成源/漏区。然后除去第二绝缘间隔层。因此，通过调节有效沟道长度和接触电阻可以提高接触电阻和晶体管的特性。