公开(公告)号：CN1292431A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括:向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。

公开(公告)号：CN1031436C

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有布线层的半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在所述的绝缘层提供开口，露在所述绝缘层底层表面的一部分；在所述的绝缘层之上形成在随后的热处理步骤中不产生Si沉淀的第一导电层，对所述的第一导电层进行适当时间的热处理，使所述的开口充满所述第一导电层的物质。

公开(公告)号：CN1068681A

公开(公告)日：1993-02-03

申请号：CN92105037.2

申请日：1992-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  朴昌洙 ,  孙正河

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53214 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体基片上形成一个带有开口的绝缘夹层，形成第一金属层并对其进行热处理，从而用金属填充开口，在第一金属层上形成第二金属层并对其进行热处理，以使其平面化。本发明的另一个实施例中，形成金属层使用的金属是纯铝或不含硅元素的铝合金。根据本发明获得的半导体晶片的优点是：即使接触孔纵横比很大，也可以用金属完全填充它，开有成布线图案后，在其表面上没有硅沉积，并且没有铝峰值。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。

公开(公告)号：CN1244598A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98122757.0

申请日：1998-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  李相忍 ,  朴昌洙 ,  李相旼

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H05B33/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。

公开(公告)号：CN1239320A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(pt)所取代。

公开(公告)号：CN1039562C

公开(公告)日：1998-08-19

申请号：CN93120818.1

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/532 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。

公开(公告)号：CN1090091A

公开(公告)日：1994-07-27

申请号：CN93120818.1

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍

IPC: H01L29/46 ,  H01L21/28 ,  H01L21/90

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/532 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔的覆盖。此外，在甲硅烷基化层上形成金属层后进行热处理时，金属层的回流特性变好，从而易于填充接触孔或通孔。用此法可获得高可靠性的布线层并可免去后续的烧结工序。

公开(公告)号：CN1234909C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。

公开(公告)号：CN1200135C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN98122757.0

申请日：1998-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  李相忍 ,  朴昌洙 ,  李相旼

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

CPC classification number: H05B33/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂，从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明，由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质，故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。