公开(公告)号：CN1239320A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(pt)所取代。

公开(公告)号：CN1128465C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98108477.X

申请日：1998-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  朴昌洙 ,  李相忍

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/08 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。

公开(公告)号：CN1971424A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610110078.4

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  蔡允淑 ,  赵汉九 ,  姜昌珍 ,  禹相均 ,  柳万馨 ,  丁荣载

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139

Abstract: 该半导体结构包括将被构图的刻蚀目标层、多个底部抗反射涂层(BARC)层以及光刻胶(PR)图形。多重BARC层包括形成在刻蚀目标层上并包含碳的第一掩模层，以及形成在第一掩模层上并包含硅的第二掩模层。形成在多重BARC层上的PR层经历光刻，以在多重BARC层上形成PR图形。多重BARC层具有2％以下的反射率，以及PR图形和多重BARC层之间的界面角度是80°至90°。

公开(公告)号：CN1133203C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(Pt)所取代。

公开(公告)号：CN1221979A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98108477.X

申请日：1998-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  朴昌洙 ,  李相忍

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/08 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法,通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应,在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层,通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应,在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外,采用一种硅源气体,在该金属原子层上形成硅原子层,从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。