公开(公告)号：CN1239320A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(pt)所取代。

公开(公告)号：CN1133203C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(Pt)所取代。