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公开(公告)号：CN1284747A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00108946.3
申请日：2000-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/283 , H01L21/314 , H01L21/3205 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/28194 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。
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公开(公告)号：CN1234909C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN00131893.4
申请日：2000-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/403 , C23C16/409 , C23C16/45525 , C30B25/02 , C30B29/20 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/316 , H01L21/31691
Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。
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公开(公告)号：CN1292431A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN00131893.4
申请日：2000-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/403 , C23C16/409 , C23C16/45525 , C30B25/02 , C30B29/20 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/316 , H01L21/31691
Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括:向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。
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