公开(公告)号：CN1068444A

公开(公告)日：1993-01-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有布线层的半导体器件，包括：半导体衬底31、51、71、91和111；具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112，所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117，并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀的物质。

公开(公告)号：CN1031436C

公开(公告)日：1996-03-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有布线层的半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在所述的绝缘层提供开口，露在所述绝缘层底层表面的一部分；在所述的绝缘层之上形成在随后的热处理步骤中不产生Si沉淀的第一导电层，对所述的第一导电层进行适当时间的热处理，使所述的开口充满所述第一导电层的物质。