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公开(公告)号：CN103035804A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210308002.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。
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公开(公告)号：CN102403428B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110281198.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/816
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。III族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电III族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电III族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电III族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN102403430B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110276450.X
申请日：2011-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L29/78684 , H01L33/34 , H01L51/0046
Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。
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公开(公告)号：CN102569574B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110350679.3
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。所述发光器件包括：化合物半导体结构，包括第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层；第一电极层和第二电极层，设置在所述第二化合物半导体层的顶表面上并分别电连接到所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；绝缘层，涂覆在除了所述第一电极层和所述第二电极层所位于的部分之外的部分上；导电粘附层，形成在非导电基底的顶表面上并将所述非导电基底连接到所述第一电极层和所述绝缘层；第一电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的一个侧表面上并连接到所述导电粘附层；第二电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的另一侧表面上，并连接到所述第二电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403417B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110281232.5
申请日：2011-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供III族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103247730A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310034044.1
申请日：2013-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , Y10S977/734
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。
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公开(公告)号：CN1518134A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03158948.0
申请日：2003-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括：(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层，直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面；(d)去除金属氧化物层；以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。本发明减小了缺陷密度，并促进了均匀的缺陷分布。
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公开(公告)号：CN102315352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110196557.3
申请日：2011-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。
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公开(公告)号：CN103594578A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310351232.7
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括基材；设置在所述基材上的缓冲层，该缓冲层包含铝氮化物；设置在所述缓冲层上的组成分级层，该组成分级层包含第一铝氮化物和第二铝氮化物；设置在所述组成分级层上的覆盖层；和设置在所述覆盖层上的包层。所述第一铝氮化物的组成和所述第二铝氮化物的组成可以以交替的方式渐进性变化。本发明的半导体发光器件能够降低层堆叠时由层与层之间的晶格失配而导致的穿透位错和各种缺陷，并且能够改善晶片上的半导体材料的均匀性。
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