公开(公告)号：CN103107261A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210459102.0

申请日：2012-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐 ,  金起范 ,  李时赫

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件以及包括该半导体发光器件的封装，该半导体发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。光提取层设置在发光结构上并包括：具有透光性的光透射薄膜层；包括多个纳米棒的纳米棒层，设置在光透射薄膜层上；以及包括多个纳米线的纳米线层，设置在纳米棒层上。

公开(公告)号：CN102315352B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110196557.3

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  李时赫 ,  宋尚烨 ,  孙哲守 ,  金学焕 ,  李镇贤

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。

公开(公告)号：CN101728251B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN200910137472.0

申请日：2009-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁钟邻 ,  李相范 ,  宋尚烨 ,  李时赫 ,  金泰亨

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体、表面处理方法、制备方法及结构。III族氮化物半导体的表面处理方法包括以下步骤：提供包括具有III族极性的第一表面和与第一表面相对且具有氮极性的第二表面的III族氮化物半导体；将激光束照射到第二表面上，以使第二表面的氮极性改变为III族极性。

公开(公告)号：CN102903814A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210306242.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起范 ,  许元九 ,  崔丞佑 ,  李承宰 ,  李时赫 ,  金台勋

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。