公开(公告)号：CN103872200B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。

公开(公告)号：CN103872200A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。

公开(公告)号：CN103035804A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210308002.8

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李振燮 ,  金定燮 ,  李成淑 ,  朴泰荣 ,  孙哲守

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L21/02573 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。