公开(公告)号：CN111211044A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910754012.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  李成基 ,  李在铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。

公开(公告)号：CN110391121B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN110391121A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN119626880A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410445113.6

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜璨秀 ,  姜大元 ,  金敏周 ,  金泰铉 ,  南象基 ,  成德镛 ,  梁正模 ,  吴世真 ,  林建熙 ,  任埈澔

IPC: H01J37/32

Abstract: 衬底加工装置包括提供加工空间的加工室、位于加工室中并被配置为支撑衬底的工作台、耦合到加工室的一侧的窗口、以及耦合到窗口的一侧表面的闪烁体层。闪烁体层覆盖窗口的一侧表面的一部分，该部分小于整个窗口表面。与窗口的一侧表面的另一部分相对应的第二表面被暴露。由加工空间中的等离子体发射的光穿过窗口并由光学系统收集并进行分析。穿过闪烁体的紫外光被转换为更长波长的光，通常是可见光。将穿过裸露窗口的光与穿过闪烁体层的光进行比较可以对等离子体进行分析。

公开(公告)号：CN119581357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411001065.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴智兑 ,  李光镐 ,  印成晋 ,  林建煕 ,  金允载 ,  金一宇 ,  南象基 ,  吴世真

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。

公开(公告)号：CN107017176B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710001539.2

申请日：2017-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 普罗托波波夫·弗拉基米尔 ,  黄基镐 ,  成德镛 ,  吴世真 ,  印杰 ,  张圣虎 ,  全允珖

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

公开(公告)号：CN107017176A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710001539.2

申请日：2017-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 普罗托波波夫·弗拉基米尔 ,  黄基镐 ,  成德镛 ,  吴世真 ,  印杰 ,  张圣虎 ,  全允珖

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32972 ,  H04N5/2252 ,  H01L22/26 ,  H01J37/32917 ,  H01L22/10

Abstract: 本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

公开(公告)号：CN106920734A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611204971.3

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  禹济宪 ,  赵忠镐 ,  成德镛 ,  梁章奎 ,  郑在哲

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137

Abstract: 一种等离子体系统，包括：源电极、RF源功率生成单元、RF源功率输出单元以及源功率输出管理单元。源功率输出管理单元基于关于连续波RF源功率的幅度的信息来确定脉冲RF源功率的幅度和占空比。