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公开(公告)号：CN119581357A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411001065.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体工艺设备包括：包括腔室的壳体，基板在腔室中被处理；观察口，在壳体的侧壁中；适配器，配置为接收反射光，其中从腔室内部产生的等离子体产生的光在提供于基板的上表面上的结构的表面上的目标位置处被反射；偏振分束器，配置为将从适配器接收的反射光分离成P偏振光和S偏振光；分光镜，配置为分析P偏振光和S偏振光的光谱；以及控制单元，配置为基于分析光谱的结果、基于P偏振光和S偏振光中的每个在一个或更多个波长处随时间的发光强度来监测结构的厚度。
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公开(公告)号：CN109285842A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810794960.8
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/528 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/1037 , H01L29/4234 , H01L29/7889 , H01L23/5283 , H01L27/11578
Abstract: 一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。
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公开(公告)号：CN107852425A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042717.X
申请日：2016-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光镐
CPC classification number: H04N21/43615 , G06F9/44 , H04N21/4131 , H04N21/4432 , H04N21/4435 , H04N21/4437 , H04N21/4882 , H04N21/818 , H04W4/70
Abstract: 图像显示装置包括：非易失性存储设备，存储操作系统(OS)、第一应用程序和第二应用程序；以及处理器，将OS和第一应用程序加载到第一易失性存储设备，将第二应用程序加载到第二易失性存储设备，在正常模式下执行OS、第一应用程序和第二应用程序，以及在物联网(IoT)模式下执行OS和第一应用程序并且暂停被加载到第二易失性存储设备的第二应用程序，其中，第一应用程序是接收关于IOT设备的状态信息并且向服务器发送所接收的状态信息的程序，并且第二应用程序是执行广播接收功能、图像处理功能和图像显示功能中的至少一个的程序。
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公开(公告)号：CN118471773A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410029904.0
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/153 , H01J37/32 , H01L21/67 , G01N21/25
Abstract: 公开了等离子体监测系统。所述等离子体监测系统包括：腔室，具有被配置为在半导体基底上执行等离子体工艺的内部空间，腔室包括观察窗和基底台；光发射器，在观察窗上，并且包括被配置为获得在等离子体工艺期间生成的第一光的多个光纤；可拆卸反射镜，在观察窗与所述多个光纤之间；光生成器，被配置为通过所述多个光纤将第二光照射到反射镜上并且通过所述多个光纤将第三光照射到观察窗上；以及光分析器，被配置为从第一光获得光谱，基于从反射镜反射的第二反射光来校正所述光谱，并且基于从观察窗反射的第三反射光来校正所述光谱。
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公开(公告)号：CN118251007A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410340181.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供包括堆叠结构和沟槽的半导体装置，其包括：硅基底；多个块，包括主块和虚设块；多个沟槽，包括主沟槽和虚设沟槽；第一导电图案，在主沟槽内；第二导电图案，在虚设沟槽内；第一间隔件绝缘层，接触第一导电图案；以及第二间隔件绝缘层，接触第二导电图案。块包括：层间绝缘层和栅电极的堆叠体；和穿透堆叠体的柱。栅电极包括：最下栅电极、第一栅电极和第二栅电极。层间绝缘层包括：最下层间绝缘层；第一层间绝缘层，在最下栅电极与第一栅电极之间；以及第二层间绝缘层，在第一栅电极与第二栅电极之间。第二导电图案的最下端在比第一导电图案的最下端更高的水平处。第二导电图案的最下端与硅基底间隔开。第一导电图案的最下端接触硅基底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427806B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810653341.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的多个块。沟槽设置在多个块之间。导电图案形成在沟槽内部。沟槽中的最外面的沟槽的下端形成在比与最外面的沟槽相邻的沟槽的下端的水平高的水平处。多个块中的每个包括交替且重复地堆叠的绝缘层和栅电极。柱沿与基底的上表面正交的方向穿过绝缘层和栅电极。
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公开(公告)号：CN109285842B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201810794960.8
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/30 , H10B43/40 , H10B43/20 , H01L23/528
Abstract: 一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。
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公开(公告)号：CN120015721A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411467200.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 星科金朋私人有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。该半导体封装件包括：中间件；设置在中间件上的半导体芯片；下凸块金属(UBM)焊盘，其设置在中间件与半导体芯片之间并且包括上部UBM焊盘和下部UBM焊盘；以及连接构件，其设置在UBM焊盘与半导体芯片之间，其中，连接构件与UBM焊盘和中间件的侧表面接触。
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公开(公告)号：CN111656734B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201980010682.5
申请日：2019-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/12 , H04L12/10 , H04L67/145 , H04L12/28
Abstract: 本发明涉及电子设备，其包括：通信单元；电源单元；第一处理器，具有从电源单元接收第一电力以通过通信单元与服务器连接来发送和接收信息的第一状态和不从电源单元接收电力或接收低于第一电力的第二电力的第二状态；以及第二处理器，用于当第一处理器处于第二模式时在预定时间间隔范围内重复地输出状态切换信号，其中第一处理器基于状态切换信号切换到第一状态，以通过通信单元向服务器发送连通性保持信息，并且被转换到第二状态。
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公开(公告)号：CN103678200A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310386145.5
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光镐
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0608 , G06F3/061 , G06F3/0641 , G06F3/0656 , G06F3/0676 , G06F3/0679 , G06F12/0866
Abstract: 提供了一种数据处理装置，其包括：第一存储设备，其在其中存储压缩的数据；第二存储设备，其访问和暂时存储第一存储设备中存储的压缩的数据；数据解压器，其通过对压缩的数据进行解压来生成解压的数据并将解压的数据输出到第二存储设备，从而解压的数据被暂时存储在第二存储设备中；以及控制器，其访问暂时存储在第二存储设备中的解压的数据。数据解压器基于页面缓存的地址将解压的数据直接分散到页面缓存中。因此，程序和数据处理装置的操作速度能够被提高。
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