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公开(公告)号：CN118053931A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311543635.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面；沿第一方向间隔排布于基底正面的多个第一电极，第一电极沿第二方向延伸；沿第一方向排布的多个掺杂区，掺杂区位于基底正面，掺杂区掺杂类型与基底相同；掺杂区包括第一掺杂区以及位于第一掺杂区沿第一方向上至少一侧的第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区相邻接，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区，第一掺杂区与相应的第一电极电接触；层叠在背面的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层的掺杂类型与基底不同；位于基底背面且与掺杂导电层电接触的第二电极。至少可以降低电池复合，提高开路电压。
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公开(公告)号：CN118053927A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311736451.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有间隔且交替设置的P区以及N区；位于基底背面以及N区的第一介质层和第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层掺杂有N型掺杂元素；位于基底背面以及P区的第二介质层和第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层掺杂有P型掺杂元素；其中，第一掺杂多晶硅层远离第一介质层的表面具有第一粗糙度；第二掺杂多晶硅层远离第二介质层的表面具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度；钝化层，钝化层覆盖第一掺杂多晶硅层的表面以及第二掺杂多晶硅层的表面；与第一掺杂多晶硅层电连接的第一电极，与第二掺杂多晶硅层电连接的第二电极。
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公开(公告)号：CN117855344A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211214569.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L21/033
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面，第一表面包括非金属图案区域；在同一工艺步骤中，在第一表面形成沿背离基底方向堆叠的初始钝化接触结构以及玻璃层；在玻璃层表面形成硅掩膜层；采用激光工艺对硅掩膜层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的所述玻璃层顶面；对玻璃层进行图形化处理，以暴露出非金属图案区域对准的初始钝化接触结构顶面；对露出顶面的初始钝化接触结构进行刻蚀工艺，以去除部分厚度的初始钝化接触结构，剩余初始钝化接触结构形成钝化接触结构。本申请实施例有利于在简化太阳能电池的制备工艺的同时，保持太阳能电池较好的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN117673178A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211098149.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/06
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，第一掺杂导电层的掺杂元素类型与基底的掺杂元素类型相同；位于基底背面且在沿背离基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，第二掺杂导电层的掺杂元素类型与第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同，第一掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度大于第二掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度，且第一掺杂导电层的厚度不大于第二掺杂导电层的厚度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN112466996B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202011339973.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本发明实施例提供一种太阳能电池及形成方法，太阳能电池的形成方法包括：提供基底，基底包括隧穿氧化层；在隧穿氧化层表面形成依次堆叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第二半导体层内含有第一掺杂元素，第一掺杂元素的类型为N型或P型；进行第一热处理，第一热处理适于提高第一半导体层的结晶程度以及第三半导体层的结晶程度；进行第二热处理，以使第一掺杂元素向第一半导体层以及第三半导体层内扩散，使第一半导体层转换为第一钝化接触层，第二半导体层转化为第二钝化接触层，第三半导体层转化为第三钝化接触层，且第二热处理的温度大于第一热处理的温度。本发明实施例有利于提高太阳能电池的钝化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466967B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202011323754.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层。此外，本发明实施例还提供一种选择性发射极太阳能电池。本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。
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公开(公告)号：CN119008728A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311736380.0
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0216
Abstract: 本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；半导体导电层，所述半导体导电层位于所述基底的表面上，所述半导体导电层包括沿第一方向远离所述基底的第一表面，且所述第一表面上具有多个类球形凸起结构；电介质层，所述电介质层位于所述第一表面上，覆盖所述类球形凸起结构及所述类球形凸起结构暴露出的所述第一表面；多个电极，多个所述电极沿第二方向间隔排布，且所述电极贯穿所述电介质层与所述半导体导电层电接触。至少有利于提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118198165A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211569073.3
申请日：2022-12-07
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底表面具有金属图案区域以及非金属图案区域，非金属图案区域包括相邻接的第一区以及第二区，第二区远离第一区的一侧与金属图案区域相邻接，第一区的基底表面低于金属图案区域的基底表面，第二区的基底表面不低于第一区的基底表面，且不高于金属图案区域的基底表面；第一区以及第二区的基底内具有掺杂层，基底露出掺杂层顶面；第一钝化接触结构，覆盖于金属图案区域的基底表面，包括层叠的至少一层第一隧穿层以及至少一层第一掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118053922A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311738600.3
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/05
Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括间隔且交替设置的电极区和非电极区，以及位于电极区和非电极区之间的过渡区；过渡区具有第一表面结构，第一表面结构包括间隔设置的多个第一金字塔结构，第一表面结构还包括多个微凸结构，微凸结构底部的一维尺寸小于第一金字塔结构底部的一维尺寸；第一介质层，位于电极区上；第一掺杂导电层，位于第一介质层远离电极区的一侧。本公开实施例至少有利于提高太阳能电池的光电转换效。
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公开(公告)号：CN116722054B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210656583.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：位于N型基底第一表面的P型发射极，P型发射极包括第一部分和第二部分，第一部分的顶面包括：第一金字塔结构，第一金字塔结构的至少部分棱线处具有过渡面，且过渡面相对于第一金字塔结构的中心凹陷或突出，至少部分第一金字塔结构的顶面包括球体或者类球体；第二部分顶面包括第二金字塔结构，第二金字塔结构的棱线呈直线型；第一部分的方阻为10ohm/sq～500ohm/sq，第一部分的顶面掺杂浓度为1E17atom/cm3～8E19atom/cm3，第二部分的方阻为100ohm/sq～1000ohm/sq，第二部分的顶面掺杂浓度为1E16atom/cm3～5E19atom/cm3；位于N型基底的第二表面的隧穿层和掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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