公开(公告)号：CN119384062A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411433243.4

申请日：2024-10-14

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  徐君 ,  魏露露 ,  俞鼎行 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/70 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种晶硅太阳能电池硅片的制绒方法，包括：S1、对硅片激光一次晶化处理；S2、一次碱抛光；S3、对硅片上线痕凹槽底部激光图形化二次晶化处理；S4、二次碱抛光；S5、将硅片浸入HF/HNO3混合溶液中预处理，使硅片表面生成多孔硅层；S6、碱制绒。本发明通过对硅片进行“激光一次晶化→一次碱抛光→激光二次晶化→二次碱抛光→HF/HNO3体系预处理”，可大幅缩减制绒时间，且在硅片表面生成的金字塔绒面更为均匀，可有效降低绒面反射率。

公开(公告)号：CN119698129A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411637587.7

申请日：2024-11-15

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 魏露露 ,  吴成坤 ,  俞鼎行 ,  张婷 ,  陈德爽 ,  任勇

IPC: H10F77/30 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/70 ,  H10F77/1223 ,  H10F77/164 ,  H10F10/14

Abstract: 本发明涉及一种IBC太阳能电池及其制备方法。制备方法包括：双面抛光；背面形成第一隧穿氧化层和硼掺多晶硅层；背面第一次激光图形化去除N区和隔离区的硼硅玻璃层，第一次湿法刻蚀去除N区和隔离区的第一隧穿氧化层、硼掺多晶硅层；背面形成第二隧穿氧化层和磷掺多晶硅层；正面第二次湿法刻蚀去除绕镀层；正面制绒；背面第二次激光图形化去除P区和隔离区的磷硅玻璃层，第三次湿法刻蚀将P区腐蚀至硼掺多晶硅层，N区腐蚀至磷掺多晶硅层，隔离区腐蚀至硅片；隔离区生长第三隧穿氧化层；双面形成钝化层、减反射层；背面制备电极。上述制备方法能够控制隧穿氧化层厚度并提高致密性，从而提高钝化效果，并且流程简便，适用于规模化生产。