一种晶硅太阳能电池制绒工艺
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115360262A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210942855.0

    申请日:2022-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池制绒工艺,包括:S1、检测硅片,将表面有缺陷的剔除;S2、使用氢氧化钾与双氧水的混合液清洗硅片,再水洗;S3、使用高浓度的氢氧化钾和制绒添加剂混合液对硅片第一次制绒,形成金字塔结构;S4、一次制绒后水洗,去除硅片表面残留液;S5、使用氢氧化钾溶液对硅片抛光,将金字塔结构的塔尖去除;S6、抛光后水洗;S7、使用低浓度的氢氧化钾和制绒添加剂混合液对硅片第二次制绒;S8、二次制绒后水洗;S9、使用低浓度的氢氧化钾和双氧水混合液清洗去除硅片表面的有机物残留,水洗;S10、使用氢氟酸和盐酸的混合酸浸泡去除硅片表面的金属离子,水洗;S11、使用慢提拉方式对硅片进行预脱水;S12、使用循环热气将硅片烘干。

    一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺

    公开(公告)号:CN115216848A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210840592.2

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本发明公开了一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺;包括:S1、用纯水冲洗石英舟卡槽内的硅渣;S2、用纯水漂洗石英舟;S3、用氢氟酸和盐酸的混合液浸泡石英舟;S4、用纯水漂洗石英舟,漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性;吹干残留水渍;S5、将饱和炉管升温,用大流量氮气吹扫饱和炉管;S6、将石英舟送入到炉管内;升温并通氮气,维持;S7、将炉管抽至低压状态并维持,通入氮气吹扫炉管;S8、向炉管中通入氮气和氧气氧化;S9、通氮气、氧气和小氮饱和处理;S10、重复步骤S8和S9;S11、通入氮气和氧气冷却石英舟;S12、将炉管继续抽真空并维持,通氮气吹扫并升压,升压后维持;S13、通氮气,将炉管压力恢复到常压;打开炉门,取出饱和好的石英舟。

    一种N型TOPCon电池的制备方法

    公开(公告)号:CN116995110B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202310949674.5

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种N型TOPCon电池的制备方法,包括如下步骤:步骤1:N型硅片的制绒,使用碱性溶液对N型硅片进行制绒,以使N型硅片减重控制在0.25g‑0.45g,硅片表面反射率控制在7%‑10%;步骤2:N型硅片正面进行硼扩散和激光微掺杂,再扩散形成正面氧化层掩膜;步骤3:N型硅片背面的抛光;步骤4:在N型硅片的背面进行三合一的多层薄膜沉积,生长隧穿氧化硅薄膜层、原位掺杂的非晶硅薄膜层以及掩膜层,隧穿氧化硅薄膜层的厚度<2nm,非晶硅薄膜层厚度为50‑200nm,掩膜层的厚度为5‑30nm;步骤5:在预设高温条件下,掺磷的多晶硅层沉积进行磷激活;步骤6:N型硅片正背面氧化硅掩膜清洗;步骤7:N型硅片正背面沉积钝化复合膜;步骤8:印刷、烧结。

    一种N型TOPCon电池的制备方法

    公开(公告)号:CN116995110A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310949674.5

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种N型TOPCon电池的制备方法,包括如下步骤:步骤1:N型硅片的制绒,使用碱性溶液对N型硅片进行制绒,以使N型硅片减重控制在0.25g‑0.45g,硅片表面反射率控制在7%‑10%;步骤2:N型硅片正面进行硼扩散和激光微掺杂,再扩散形成正面氧化层掩膜;步骤3:N型硅片背面的抛光;步骤4:在N型硅片的背面进行三合一的多层薄膜沉积,生长隧穿氧化硅薄膜层、原位掺杂的非晶硅薄膜层以及掩膜层,隧穿氧化硅薄膜层的厚度<2nm,非晶硅薄膜层厚度为50‑200nm,掩膜层的厚度为5‑30nm;步骤5:在预设高温条件下,掺磷的多晶硅层沉积进行磷激活;步骤6:N型硅片正背面氧化硅掩膜清洗;步骤7:N型硅片正背面沉积钝化复合膜;步骤8:印刷、烧结。

    一种高效N型TOPCon电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN119317221A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411263228.X

    申请日:2024-09-10

    Abstract: 本发明公开一种高效N型TOPCon电池及其制备方法,包括:S1、提供N型硅衬底并进行碱制绒;S2、在N型硅衬底正面化学气相沉积,形成正面隧穿氧化硅薄膜层和非晶硅层;S3、正面进行低温硼扩散,形成掺杂非晶硅层;S4、在掺杂非晶硅层的表面激光掺杂进行晶态改性,形成激光改性区;S5、对N型硅衬底的背面抛光;S6、在N型硅衬底的背面低温化学气相沉积,形成背面隧穿氧化硅薄膜层、本征多晶硅层和掩膜层;S7、背面进行低温磷扩散,形成掺杂多晶硅层;S8、去除掩膜层;S9、在N型硅衬底的正、背面分别沉积形成正、背面复合钝化膜;S10、在激光改性区中印刷银浆,烧结,获得正面栅线,背面印刷银浆,烧结,获得背面栅线。

    一种低成本接触钝化全背电极太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114678446B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202210305172.4

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明公开一种低成本接触钝化全背电极太阳能电池及其制备方法;包括:S1、以P型单晶硅片作为硅衬底,碱抛光处理;S2、进行RCA清洗和HF清洗;S3、在硅片背面生长隧穿氧化硅薄膜层、原位掺杂的非晶硅薄膜层和制绒掩膜层;S4、对非晶硅薄膜层退火激活,变成多晶硅薄膜层;S5、激光刻蚀制绒掩膜层;S6、硅片双面制绒;S7、HF清洗,除净制绒掩膜层;S8、在硅片的正、背面沉积氧化铝薄膜;S9、在硅片的正、背面沉积氮化硅钝化膜或氮化硅/氮氧化硅叠层钝化膜;S10、激光烧蚀掉硅片背面的部分氧化铝薄膜和部分氮化硅钝化膜或氮化硅/氮氧化硅叠层钝化膜;S11、在硅片背面丝网印刷,烧结;接触钝化区采用银浆,背场区域采用铝浆。

    异质结薄片化制绒方法、硅片和太阳能电池

    公开(公告)号:CN117878170A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410158176.3

    申请日:2024-02-04

    Abstract: 本公开提供一种异质结薄片化制绒方法,包括:使用HF和HCl的混合溶液对硅片进行清洗;使用KOH和H2O2的混合溶液对硅片进行清洗;使用制绒添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行初次制绒;以及使用制绒添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行二次制绒。本公开还提供一种硅片和一种太阳能电池。根据本公开所述的异质结薄片化制绒方法降低了硅片的腐蚀厚度使硅片更适于薄片化,同时采用两步制绒工艺,绒面均匀性更好,反射率更低。

    光伏电池、电池串和光伏组件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119947269A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510105161.5

    申请日:2025-01-22

    Abstract: 本公开提供一种光伏电池、电池串和光伏组件,该光伏电池包括正极电极和负极电极,正极电极和负极电极中的至少一个包括彼此分隔开的多个子电极,使得光伏电池包括多个子电池,多个子电池之间并联连接,多个子电极中的每个子电极成为多个子电池中的相应子电池的电极。本公开通过使得光伏电池的正极电极和/或负极电极包括多个子电极,形成多个并联的子电池,当由光伏电池组成的光伏组件的局部被遮挡时,对应的被遮挡光伏电池中的子电池不发电,转变为并联的旁路二极管,可自服务于光伏组件中的电流传输,大幅度降低光伏组件的热斑影响。

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