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公开(公告)号：CN119630092A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311168053.X
申请日：2023-09-11
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/1223 , H01L21/223 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供了一种太阳电池的掺杂方法、制备方法以及太阳电池。掺杂方法包括以下步骤：对氧化后的硅片进行磷扩散，以在硅片上形成磷硅玻璃层前体；对磷扩散后的硅片进行推进，以使磷硅玻璃层前体中的磷原子推进到硅片的内部；对推进后的硅片进行降温吸杂，以使磷硅玻璃层前体中的磷原子进一步推进到硅片的内部；对降温吸杂后的硅片进行再次磷扩散，以使磷硅玻璃层前体形成磷硅玻璃层；对硅片上的磷硅玻璃层的局部进行激光掺杂；去除磷硅玻璃层。本发明能够提高太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118621449A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410712869.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本申请提供均流装置、扩散炉、磷扩散方法、烧结方法，该均流装置包括：螺旋进气管，螺旋进气管具有进气端以及沿螺旋进气管的延伸方向间隔设置的多个出气孔，螺旋进气管的进气端位于中心位置，出气孔的孔径小于螺旋进气管的管孔径，出气孔沿炉管的流向设置于螺旋进气管的后侧壁；进气均流件，沿流向设置于螺旋进气管的后侧，进气均流件包括第一均流板、以及贯穿第一均流板的多个第一均流孔，第一均流孔的孔径大于螺旋进气管的管孔径；以及排气均流件，沿流向间隔设置于进气均流件的后侧，排气均流件包括第二均流板、以及贯穿第二均流板的多个第二均流孔，第二均流孔的孔径大于螺旋进气管的管孔径，以使得均匀输气。
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公开(公告)号：CN115084317A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210738700.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其氧化退火方法，所述氧化退火方法包括依次进行的进舟、抽真空、恒温、低压氧化、回压、常压氧化、吹扫和出舟；其中，所述低压氧化的压力为100‑500mbar；所述常压氧化的压力为0.8‑1.2bar。本发明提供的氧化退火方法在解决了电池片制造过程中出现外观白点问题的同时，有效提高了氧化层的厚度和致密性，从而改善了钝化效果和抗PID能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118431347A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410597128.4
申请日：2024-05-14
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/268 , H01L21/67 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/0288 , B23K26/12
Abstract: 本发明公开了选择性发射极的制备方法、选择性发射极及应用，选择性发射极的制备方法包括激光掺杂：取包括PN结和磷硅玻璃层的硅片置于氧化性气氛中，使用激光对硅片正面指定区域进行加热，将磷硅玻璃中的磷原子推入PN结中，得到选择性发射极，其中，氧化性气氛中所含的氧化性气体为氧气和臭氧中的至少一种。本发明中，激光掺杂时在气氛中引入氧气或臭氧，对受到损伤的磷硅玻璃层进行修复，以减少轻掺杂区域损伤的面积，进而有利于减少因激光掺杂损伤磷硅玻璃层而导致的过抛。
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公开(公告)号：CN115295679A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211016703.4
申请日：2022-08-24
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
IPC: H01L31/18 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种PERC太阳能电池氧化层及其优化方法，所述优化方法包括依次进行的进舟、恒压、检漏、恒温、氧化、充氮和出舟；所述恒压包括依次进行的第一恒压、第二恒压和第三恒压；所述氧化包括依次进行的第一氧化和第二氧化；所述氧化伴随着氮气和氧气的通入，且氮氧流量比为1:(2‑4)；所述恒压至充氮的过程中炉内温度从炉口至炉尾逐渐降低。本发明提供的优化方法改善了电池的抗LID效果和转换效率，同时提升了产能和处理效率。
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公开(公告)号：CN119525200A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411672401.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，公开了一种烘干装置及碱抛工艺设备及碱抛工艺优化方法，烘干装置包括：底板，以及环绕于底板周侧的侧壁板；第一热风单元，设置于烘干槽内并位于底板，第一热风单元沿第二方向延伸，并适于朝向底板表面吹风；第二热风单元，设置于烘干槽内并安装于花篮架，第二热风单元沿第一方向延伸，并适于朝向花篮的花篮端板吹风；第三热风单元，设置于烘干槽内并安装于花篮架，第二热风单元沿第二方向延伸，并适于朝向花篮的花篮底杆吹风。本发明提供的烘干装置，增加多个方向吹气，提高烘干效果，可解决花篮底部端板、花篮底杆、槽体底部等顽固部位无法烘干问题。
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公开(公告)号：CN115084317B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210738700.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶硅太阳能电池及其氧化退火方法，所述氧化退火方法包括依次进行的进舟、抽真空、恒温、低压氧化、回压、常压氧化、吹扫和出舟；其中，所述低压氧化的压力为100‑500mbar；所述常压氧化的压力为0.8‑1.2bar。本发明提供的氧化退火方法在解决了电池片制造过程中出现外观白点问题的同时，有效提高了氧化层的厚度和致密性，从而改善了钝化效果和抗PID能力。
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公开(公告)号：CN116121877A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310129194.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法，所述扩散炉管包括炉体(1)和进气管(2)，所述炉体包括进气口(3)和出气口(4)，所述进气管(2)通过所述进气口(3)延伸至所述炉体(1)内部，所述进气管(2)位于所述炉体(1)的底部；所述炉体内部的进气管(2)上设置有至少两个出气孔(5)。本发明在进气管上设置有至少两个出气孔，提高了进气的均匀性，且扩散炉管在运行时，石英舟顶部的磷源量明显提升，解决了石英舟顶部电池片磷源量偏低的问题，避免了烧结污染，同时有效提升了硅片方阻的均匀性。在此基础上，采用阶梯式通磷源气体的方式进行磷源沉积扩散，得到了均匀性较好的高方阻电池片，其转换效率也得到了改善。
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