公开(公告)号：CN105140295A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510522617.4

申请日：2015-08-24

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林亮宇 ,  郑君丞

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/242 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括基板、位于基板上表面的栅极、位于基板上表面并覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上表面的半导体通道层、位于半导体通道层上表面的界定层、位于半导体通道层的上表面并覆盖界定层的有机介电层以及从有机介电层的上表面穿过有机介电层的源极与漏极。其中，半导体通道层具有通道厚度，且通道厚度不大于20纳米。源极于界定层的第一侧与半导体通道层接触，而漏极于该界定层的第二侧与半导体通道层接触，第二侧相对于第一侧。

公开(公告)号：CN103460389B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201280016806.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  松本真二 ,  兽根雄司 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/24 ,  C01G3/00 ,  G09G3/30 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  H01L21/338 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/242 ,  C01F5/06 ,  C01F11/04 ,  C01G3/02 ,  C01P2002/02 ,  G09G3/32 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78693

Abstract: p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x

公开(公告)号：CN103534382A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022388.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，各元素的原子比满足下述式（1）～（4）。X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm；0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85 （1）；0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40 （2）；0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70 （3）；0.70≤In/（In＋X）≤0.99 （4）。（式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。）

公开(公告)号：CN103715269A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310751059.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李延钊 ,  王刚 ,  姜春生 ,  方婧斐 ,  方金钢

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/24 ,  H01L29/242 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，所述薄膜晶体管包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极及漏电极；其中，所述有源层包括至少两层半导体薄膜，所述至少两层半导体薄膜包括至少一层单晶半导体薄膜。通过本发明的方案，可以提高薄膜晶体管的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN102254950A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110194121.0

申请日：2011-07-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 姚建可 ,  张盛东

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/242 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O薄膜晶体管，该Cu2O薄膜晶体管的绝缘层和/或保护层为Cu3N薄膜。Cu3N薄膜是非晶结构且具有良好的绝缘性能。且与Cu2O薄膜相比，Cu3N薄膜结构致密和疏水或氧，用Cu3N薄膜作为Cu2O沟道的保护层，将减少薄膜对环境中的水或氧气的吸收，而改善薄膜晶体管的环境和电致偏应力稳定性。

公开(公告)号：CN100407442C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510097828.4

申请日：2005-08-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杜雷塞蒂·齐达姆巴劳 ,  格里高里·G·弗里曼 ,  马尔汉·H·克哈特尔

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/242 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。

公开(公告)号：CN103534382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280022388.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，各元素的原子比满足下述式（1）～（4）。X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85 （1）；0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40 （2）；0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70 （3）；0.70≤In/（In＋X）≤0.99（4）（式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比）。

公开(公告)号：CN102159517B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980136121.6

申请日：2009-09-14

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 宇都野太 ,  井上一吉 ,  川岛浩和 ,  笠见雅司 ,  矢野公规 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟、原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12、铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上、具有In2O3的方铁锰矿结构。

公开(公告)号：CN102159517A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136121.6

申请日：2009-09-14

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 宇都野太 ,  井上一吉 ,  川岛浩和 ,  笠见雅司 ,  矢野公规 ,  寺井恒太

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟；原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12；铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上；具有In2O3的方铁锰矿结构。

公开(公告)号：CN100459171C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN02821189.8

申请日：2002-10-08

Applicant: 克里公司

Inventor： S·斯里拉姆

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/8128 ,  H01L29/242 ,  H01L29/365

Abstract: 本发明提供一种金属半导体场效应晶体管(MESFET)的单元。MESFET的单元包括具有源(13)、漏(17)和栅(24)的德尔塔掺杂的碳化硅MESFET。栅(24)位于源(13)和漏(17)之间并延伸进入第一导电类型掺杂的沟道层(16)。邻近源(13)和漏(17)的碳化硅区域分别在源(13)和栅与漏(17)和栅(24)之间延伸。碳化硅区域具有比掺杂的沟道层(16)的载流子浓度更高的载流子浓度并被隔开以远离栅(24)。