p型氧化物、p型氧化物制造用组合物、p型氧化物制造方法、半导体器件、显示器件、图像显示设备和系统

Invention Grant

CN103460389B p型氧化物、p型氧化物制造用组合物、p型氧化物制造方法、半导体器件、显示器件、图像显示设备和系统失效 - 权利终止

Patent Title: p型氧化物、p型氧化物制造用组合物、p型氧化物制造方法、半导体器件、显示器件、图像显示设备和系统
Application No.: CN201280016806.9

Application Date: 2012-03-28
Publication No.: CN103460389B

Publication Date: 2017-08-11
Inventor: 安部由希子 , 植田尚之 , 中村有希 , 松本真二 , 兽根雄司 , 高田美树子 , 早乙女辽一
Applicant: 株式会社理光
Applicant Address: 日本东京都
Assignee: 株式会社理光
Current Assignee: 株式会社理光
Current Assignee Address: 日本东京都
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 肖靖泉; 宋莉
Priority: 2011-080171 20110331 JP 2012-045666 20120301 JP
International Application: PCT/JP2012/059131 2012.03.28
International Announcement: WO2012/133915 EN 2012.10.04
Date entered country: 2013-09-30
Main IPC: H01L29/24
IPC: H01L29/24 ; C01G3/00 ; G09G3/30 ; G09G3/34 ; G09G3/36 ; H01L21/338 ; H01L29/786 ; H01L29/812 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L51/50

Abstract:

p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/24	...除掺杂材料或其他杂质外，只包括不包含在H01L29/16，H01L29/18，H01L29/20或H01L29/22各组中的无机半导体材料的