公开(公告)号：CN106132604B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580016231.4

申请日：2015-03-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 油本宪志 ,  宫下庸介

IPC: B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C04B35/583

CPC classification number: C04B35/5831 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/401 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/003 ,  C23C16/34 ,  C04B35/58021 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5063

Abstract: 本发明的cBN烧结体切削工具以包含cBN粒子和结合相的烧结体为工具基体，其中，所述烧结体含有40体积％以上且小于60体积％的cBN粒子以及Al，所述Al的范围为如下：下限值为2质量％，且将Y设为Al含有比例(体积％)、将X设为cBN含有比例(质量％)时，上限值满足Y＝‑0.1X+10的关系，所述结合相至少含有Ti类化合物、Al2O3及不可避免的杂质，且所述Al2O3中，直径10nm～100nm的微粒Al2O3分散生成于结合相中，在所述结合相的截面1μm×1μm的区域，生成有30个以上的所述微粒Al2O3。

公开(公告)号：CN107531509A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680018610.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 沙特基础全球技术有限公司

Inventor： 里达·贝拉 ,  杰西·欧弗索·卡拉韦奥·弗雷斯卡思 ,  易卜拉欣·阿尔-胡韦什 ,  尼耶什·K·詹姆斯 ,  西布兰德·万·德·兹瓦格 ,  纪伯伦·哈利克 ,  威廉·A·格伦

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37 ,  C08K3/24 ,  C08L63/00

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/38 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C08K3/22 ,  C08K7/00 ,  C08K2201/001 ,  C08K2201/005 ,  C08K2201/019 ,  H01L41/183 ,  H01L41/37

Abstract: 描述了一种无铅的锂掺杂的铌酸钠钾压电陶瓷材料，其为粉末形式且具有单晶相，及其应用。还描述了制造所述压电陶瓷材料的方法。

公开(公告)号：CN106132901A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580012984.8

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga2O3相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN106103379A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012927.X

申请日：2015-03-09

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。

公开(公告)号：CN102034581B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201010501491.X

申请日：2010-09-30

Applicant: ABB技术有限公司

Inventor： F.格鲁特 ,  M.哈格迈斯特 ,  O.贝克 ,  R.奥斯特伦 ,  R.凯斯勒

IPC: H01C7/112 ,  H01C17/00

CPC classification number: H01C7/112 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明涉及高场强度变阻器材料。本发明涉及用于具有250～400V/mm的目标切换场强度的电涌放电器的变阻器材料，其包括形成ZnO相的ZnO和形成颗粒间氧化铋相的表示为Bi2O3的Bi，所述变阻器材料进一步包括尖晶石相，其特征在于该变阻器材料中包含的烧绿石相的量使得该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.15∶1。

公开(公告)号：CN103796970B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280044506.1

申请日：2012-07-03

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 山野边康德 ,  曾我部健太郎 ,  小泽诚

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C30B1/02 ,  H01J37/3426

Abstract: 本发明提供一种在用于溅射靶时能抑制异常放电等、在用于蒸镀用料片时能抑制飞溅现象的Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法等。该Zn-Si-O系氧化物烧结体是以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，Si含量以Si/(Zn+Si)原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，且不含有SiO2相和作为硅酸锌（Zn2SiO4）的尖晶石型复合氧化物相。上述烧结体的制造方法的特征在于，在对从作为原料粉末的ZnO粉末和SiO2粉末得到的造粒粉进行成型并对所得到的成型体进行烧成而制造上述烧结体时，包括：在700～900℃的温度范围内以5℃/分钟以上的升温速度升温的工序；以及，在烧成炉内以900℃～1400℃对成型体进行烧成的工序。

公开(公告)号：CN103492347B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201280018370.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 岭南大学校产学协力团

Inventor： 李在衡 ,  金知慧 ,  韩普训 ,  丁寅哲

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明涉及一种制备具有增强透明度的多晶氧氮化铝的方法，具体而言，涉及一种通过在常压下烧结Al2O3和AlN的粉末混合物制备多晶氧氮化铝的方法，其中将AlN的含量设定为17～26mol%，在1575～1675℃下进行第一次烧结，使得原料粉末的相对密度等于或高于95%，和在1900℃下进行第二次烧结，使得原料粉末的相对密度增加。根据本发明，将所有内部微孔除去，由此在相对较低的烧结温度下在短时间内可以获得可见光透过率等于或高于70%的立方多晶氧氮化铝陶瓷。

公开(公告)号：CN103341291B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310268752.1

申请日：2013-06-30

Applicant: 成都易态膜分离技术有限公司

Inventor： 高麟 ,  汪涛 ,  李波

IPC: B01D39/20 ,  C22C1/08 ,  C22C29/00

CPC classification number: C04B38/02 ,  B01D39/20 ,  B01D39/2075 ,  B01D2239/1208 ,  B01D2239/1216 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C04B2235/9684 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明公开了一种具有较强耐腐蚀性的烧结多孔材料以及应用该多孔材料的过滤元件。本申请的烧结多孔材料具有如下特征：a)它主要由Ti、Si、C三种元素组成，这三种元素的重量之和占该烧结多孔材料重量的90%以上，其中，Ti为Ti、Si、C总重量的60～75%，Si为Ti、Si、C总重量的10～20%；b)该烧结多孔材料中的C主要是以Ti3SiC2三元MAX相化合物的形式存在，且在该多孔材料中大致上均匀分布；c)它的孔隙率为30～60%，平均孔径为0.5～50μm，抗拉强度≥23MPa，厚度≤5mm的烧结多孔材料在0.05MPa的过滤压差下测得纯水的过滤通量≥1t/m2·h，且在5wt%的盐酸溶液中室温浸泡48天后的失重率在1.5%以下。本发明的烧结多孔材料具有非常优异的耐腐蚀性能。

公开(公告)号：CN104710178A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510093578.0

申请日：2007-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 珍妮弗·Y·孙 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  任关·段 ,  森·撒奇 ,  托马斯·格雷夫斯 ,  晓明·何 ,  杰·袁

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤素等离子体。对所述特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。

公开(公告)号：CN104628381A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410259023.4

申请日：2014-06-11

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 成柱咏 ,  孙参翼 ,  李豪泽

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/4885 ,  C04B35/486 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9623

Abstract: 一种制备铝替代的石榴石的方法。用于制备立方相Li7La3Zr2O12(LLZ)的方法包括干法混合Li2CO3、La2O3、ZrO2和Al2O3。将混合物在800℃至1,000℃烧制5至7小时，自然冷却，并干法混合。使用混合物制造在120MPa至150MPa下具有8mm至12mm尺寸的小球。然后，将小球在1,000℃至1,250℃烧制20至36小时。