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公开(公告)号：CN101560643A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910134888.7
申请日：2009-04-15
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/28 , C03C17/002 , C23C14/081 , H01J37/08 , H01J37/32009 , H01J37/3233 , H01J37/3266 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/15 , H01J2237/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法，其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11)，第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。
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公开(公告)号：CN101652498B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780052204.8
申请日：2007-04-24
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 中河原均
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/081 , C23C14/28 , H01J37/04 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J37/3178 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/152 , H01J2237/3132 , H01J2237/3146
Abstract: 通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场，使得束的横断面扁平化：该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸，并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子生成设备，其中，相对于扁平化后的束28的宽度Wt，束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101490792B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200780027492.1
申请日：2007-07-06
Applicant: 阿维扎技术有限公司
Inventor： 加里·普劳德富特 , 克里斯托弗·戴维·乔治 , 保罗·埃杜拉多·利马 , 戈登·罗伯特·格林 , 罗伯特·肯尼思·特罗韦尔
IPC: H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/317 , H01J27/16 , C23C14/46 , H01J37/20 , H01J37/08
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/18 , H01J37/20 , H01J37/3178 , H01J2237/024 , H01J2237/3146
Abstract: 本发明涉及一种宽离子束沉积设备(100)，该设备包括一离子源(101)，一目标物体(102)，一可倾斜的基底台子(103)和一辅助出口(104)。目标物体(102)是卡盘的形式，它携带了多个目标物体，离子源(101)被设置成产生基本长方形断面的离子束(105)。
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公开(公告)号：CN101652498A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780052204.8
申请日：2007-04-24
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 中河原均
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/081 , C23C14/28 , H01J37/04 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J37/3178 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/152 , H01J2237/3132 , H01J2237/3146
Abstract: 通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场，使得束的横断面扁平化：该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸，并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子设备，其中，相对于扁平化后的束28的宽度Wt，束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。
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公开(公告)号：CN102157324A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010593088.4
申请日：2010-12-14
Applicant: SPP处理技术系统英国有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/34 , H01J37/24
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/24 , H01J2237/0206 , H01J2237/08 , H01J2237/3146
Abstract: 本发明涉及一种与非导电靶(14)一起使用的离子束源(10)，包括：栅格(13)，用于提取离子；以及电源，用于向栅格(13)提供脉冲式电源以提取离子。
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公开(公告)号：CN101490792A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027492.1
申请日：2007-07-06
Applicant: 阿维扎技术有限公司
Inventor： 加里·普劳德富特 , 克里斯托弗·戴维·乔治 , 保罗·埃杜拉多·利马 , 戈登·罗伯特·格林 , 罗伯特·肯尼思·特罗韦尔
IPC: H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/317 , H01J27/16 , C23C14/46 , H01J37/20 , H01J37/08
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/18 , H01J37/20 , H01J37/3178 , H01J2237/024 , H01J2237/3146
Abstract: 本发明涉及一种宽离子束沉积设备(100)，该设备包括一离子源(101)，一目标物体(102)，一可倾斜的基底台子(103)和一辅助出口(104)。目标物体(102)是卡盘的形式，它携带了多个目标物体，离子源(101)被设置成产生基本长方形断面的离子束(105)。
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公开(公告)号：CN101361154A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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