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公开(公告)号：CN116981802A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020425.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定：在基于双晶法的X射线衍射中，第一晶体使用金刚石晶体，(004)面平行配置，通过CuKα射线进行测定，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定，氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。
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公开(公告)号：CN109715858B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201780056604.X
申请日：2017-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种碳材料，在通过拉曼散射光谱法测定的光谱中，该碳材料具有出现在1250cm‑1至1400cm‑1的范围内的与金刚石键相关的峰和/或与类金刚石键相关的峰，在1250cm‑1至1400cm‑1的范围内出现的峰中，最大峰的半峰全宽或最大峰和第二大峰的半峰全宽的信号小于100cm‑1。
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公开(公告)号：CN106574393B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580039728.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107109691A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B21C3/025 , C23C16/27 , C23C16/274 , C30B9/00 , C30B25/105 , C30B25/186 , C30B25/20
Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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公开(公告)号：CN100409408C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用LI和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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公开(公告)号：CN1662681A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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