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公开(公告)号：CN104024471B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280065186.8
申请日：2012-09-14
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/0623 , C23C14/352 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种能够在对带状基板进行磁控溅射时，提高靶材利用率的溅射装置。本发明的一个实施方式所涉及的溅射装置为在腔室内连续输送被接地的金属的带状基板且对带状基板实施溅射的溅射装置。该溅射装置具备：靶材保持件，与腔室内的带状基板相对设置且用于保持靶材；电压施加部件，通过对靶材保持件供给电力从而在腔室内产生等离子体；磁铁单元，具有配置于靶材保持件的背面侧的长条状的第1磁铁与以围着该第1磁铁的方式配置的第2磁铁；及浮动电势的第1屏蔽件，设于带状基板与腔室的存在于从磁铁单元朝向带状基板的方向上的壁面之间，用于屏蔽壁面以免受到等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN104024471A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065186.8
申请日：2012-09-14
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/0623 , C23C14/352 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种能够在对带状基板进行磁控溅射时，提高靶材利用率的溅射装置。本发明的一个实施方式所涉及的溅射装置为在腔室内连续输送被接地的金属的带状基板且对带状基板实施溅射的溅射装置。该溅射装置具备：靶材保持件，与腔室内的带状基板相对设置且用于保持靶材；电压施加部件，通过对靶材保持件供给电力从而在腔室内产生等离子体；磁铁单元，具有配置于靶材保持件的背面侧的长条状的第1磁铁与以围着该第1磁铁的方式配置的第2磁铁；及浮动电势的第1屏蔽件，设于带状基板与腔室的存在于从磁铁单元朝向带状基板的方向上的壁面之间，用于屏蔽壁面以免受到等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN101768734A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910262654.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 森胁崇行
IPC: C23C16/513 , C23C16/52
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/081
Abstract: 本发明涉及一种沉积设备，其包括：真空室；等离子体枪，其适于将等离子体发射到容纳在真空室中的沉积材料上；和适于将放电气体供应到等离子体枪的放电气体供应单元。该沉积设备包括适于改变放电气体的流量的质量流控制器和连接至质量流控制器的控制电路，该控制电路适于基于预定设置通过质量流控制器来控制流量的变化。
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公开(公告)号：CN101560643A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910134888.7
申请日：2009-04-15
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/28 , C03C17/002 , C23C14/081 , H01J37/08 , H01J37/32009 , H01J37/3233 , H01J37/3266 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/15 , H01J2237/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法，其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11)，第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。
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