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公开(公告)号：CN101752157B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN101752160A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252313.5
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/30426 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0423 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN1026132C
公开(公告)日：1994-10-05
申请号：CN89104710.7
申请日：1989-05-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 西田彰志
IPC: C23C16/40 , H01L21/365
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C16/407 , G02F1/13439 , H01B1/08 , H01L31/075 , Y02B10/10 , Y02E10/548
Abstract: 一种具有高透光亲和低电阻的功能性氧化锌沉积薄膜，可以在约200℃的低温和在如玻璃这样廉价基片上制取，它通过在不同于成膜区间的区间用活化能活化一种原料气体而形成一种有助于形成沉积膜的前身，在不同于成膜区间，也不同于刚刚提及的区间的一个区间中，使用活化能活化一种原料气而形成一种能与前身化学反应的活性物质，并将前身和活性物质导入成膜区间，从而沉积一种膜，其中用于形成前身的原料气体是一种烷基锌化合物，而用于形成活性物质的原料是氧气或臭气或臭氧气体。
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公开(公告)号：CN1239754C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410032371.4
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形状。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。
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公开(公告)号：CN1188898C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN00121745.3
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 采用薄膜晶体半导体层生产半导体部件和太阳能电池的方法，包括步骤：(1)阳极化第一基片的表面，在基片的至少一个侧面上形成多孔层，(2)至少在多孔层的表面上形成半导体层，(3)在它的周边区域除去半导体层，(4)粘结第二基片到半导体层的表面，(5)从第一基片在多孔层部分分离半导体层，(6)分离后处理第一基片的表面，并重复上面的步骤(1)到(5)。该方法能以小力分离薄膜半导体层，几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1532307A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410032371.4
申请日：2000-06-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C25D11/32 , C25D17/10 , H01L21/0203 , H01L21/76259 , H01L29/0657 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 一种阳极化处理设备，包括，在用于阳极化处理的基片的周边部分，有与基片的背面接触的第一电极和与第一电极相对的第二电极，在它们之间插入基片；第一电极具有与第二电极大体相同的形式。该设备可用于以小力分离薄膜半导体层，所述薄膜半导体层几乎无裂、断或损，可高效率地制造高性能的产品。
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公开(公告)号：CN1156027C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97129782.7
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , C30B19/12 , H01L21/02381 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/2007 , H01L21/3063 , H01L21/76251 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L33/0062 , H01L2221/68368 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/977
Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体衬底的低成本，以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池，利用下述步骤制造半导体衬底，(a)在衬底的表面形成多孔层，(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液，以便在多孔层表面上生长晶体半导体层，(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上，(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。
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公开(公告)号：CN1290959A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00132918.9
申请日：2000-09-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L31/04 , C30B19/00
CPC classification number: C30B19/06 , C30B19/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 半导体衬底制造方法,包括在适当控制以便消除缺陷的温度在衬底上液相生长第一半导体层的工序,和在更高温度在第一半导体层上液相生长第二半导体层的工序。太阳电池的制造方法包括对液相生长法制造的半导体衬底的第一和第二层的表面进行阳极氧化的工序。液相生长设备包括熔料存储装置,存储熔料温度改变装置,使含氧衬底与熔料接触的装置,熔料温度可抑制衬底表面上生长的半导体层中所含的堆垛层错。
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公开(公告)号：CN101582357A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140872.7
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件和图像显示装置。图像显示装置使用电子发射器件，每一电子发射器件具有：在绝缘基板上的一对器件电极；和连接所述器件电极的导电膜。所述绝缘基板在所述器件电极之间的间隙中具有凹部。所述膜具有开口部分，所述开口部分沿着所述间隙在邻近于所述开口部分的区域中具有第一间隙。具有第二间隙的碳膜被形成在第一间隙中，并且具有从凹部的侧表面朝向底部延伸的延伸部分。邻近的碳膜的延伸部分不耦接。
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公开(公告)号：CN1223015C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00120015.1
申请日：2000-05-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/056 , H01L31/1804 , H01L31/184 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供光电转换器件的制造方法，包括在衬底表面上形成不平坦形状的步骤，提供分离层、维持衬底上不平坦形状的步骤，形成半导体膜、维持分离层上不平坦形状的步骤，和在分离层使半导体膜与衬底中分离开的步骤，其中，在衬底表面上形成不平坦形状的步骤是通过对带有分离后保留的分离层的衬底的各向异性腐蚀来形成表面上具有不平坦形状衬底的步骤。本发明还提供按上述方法制造的光电转换器件。
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