-
公开(公告)号：CN101452797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355521A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510853484.9
申请日：2015-11-28
Applicant: 青岛科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J19/24 , H01J2201/30484
Abstract: 本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(4～4.7V/μm)，在场发射冷阴极的制造方面，体现出较高的实用价值。
-
公开(公告)号：CN101515524A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004963.8
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , H01J2201/30484 , H01J2329/0439 , H01J2329/0455 , H01J2329/0465
Abstract: 本发明提供一种用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器。一种用于形成电子发射器的水基复合物，其包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。一种电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物，并且使用水基复合物来制备。一种电子发射器件包括该电子发射器。用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的图案，且采用水基复合物制备的电子发射器具有非常小的残余碳量。
-
公开(公告)号：CN102884605B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
-
公开(公告)号：CN102884605A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180017218.2
申请日：2011-04-04
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
Inventor： 胡秋红
CPC classification number: H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
-
公开(公告)号：CN101452797B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.038 seconds)
