公开(公告)号：CN101479850A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023834.2

申请日：2007-06-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Q·马 ,  V·R·劳 ,  T·A·仇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1436 ,  G11B9/1472

Abstract: 一种装置包括衬底、在衬底上形成的加热器、以及在加热器上形成的相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。一种方法包括：在衬底上形成加热器；以及在加热器上形成相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。

公开(公告)号：CN100372013C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03154602.1

申请日：2003-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  柳寅儆 ,  丁柱焕

IPC: G11B9/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B13/06

Abstract: 本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。

公开(公告)号：CN1441420A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03110527.0

申请日：2003-01-31

Applicant: 日本先锋公司 ,  长康雄

Inventor： 长康雄 ,  尾上笃

IPC: G11B9/00 ,  G03G5/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1472 ,  G11B11/007 ,  G11B11/08

Abstract: 介电记录介质的记录条件提取系统用于获得将信息记录在介电记录介质中时所记录的外加电压和施加时间长度。记录条件提取系统设有：外加电压设定装置；施加时间长度设定装置；记录控制装置；外加电压/施加时间长度记录装置；记录装置；点半径测量装置；点半径记录装置；最佳点半径检测装置；记录条件确定装置和输出装置。外加电压设定装置和施加时间长度设定装置分别设定施加到记录装置的探针的电压和时间。在点半径测量装置测量在记录装置记录的极化域的点半径，在最佳点半径检测装置获得最佳极化域。提取已经形成极化域的外加电压和施加时间长度作为最佳记录条件。

公开(公告)号：CN102197429A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142065.7

申请日：2009-10-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： U·T·杜里格 ,  B·W·格茨曼 ,  A·W·科诺尔 ,  D·皮莱斯

IPC: G11B9/00

CPC classification number: C08G8/28 ,  B82Y10/00 ,  C08G73/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/007 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31623 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明涉及一种在基材表面上制备用于以地形特征形式存储数据的数据存储介质的方法。该方法包括其中将包含至少三个炔基的交联剂沉积在基材表面上的第一步骤。在第二步骤中，将沉积的交联剂固化以在基材表面上获得交联聚合物层形式的数据存储介质。本发明进一步涉及通过该方法获得的数据存储介质，和包括该数据存储介质的数据存储设备。

公开(公告)号：CN1767025B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200510102838.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高亨守 ,  丁柱焕 ,  洪承范 ,  朴弘植 ,  朴哲民 ,  白庚录

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。

公开(公告)号：CN101496106A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780027920.0

申请日：2007-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 厄斯·T·杜里格 ,  伯恩德·W·戈特斯曼 ,  阿明·W·诺尔

IPC: G11B9/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G11B9/1472 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/14 ,  G11B11/007

Abstract: 本发明涉及用于在聚合物层的表面上形成地形特征的器件，其包括：聚合物层(1)；包含导体的基底(2)，所述聚合物层(1)的第一表面(1a)提供在所述基底(2)上；和至少一个电极(3)，其在所述器件使用时与所述聚合物层(1)的第二表面(1b)相互作用，其中，当使用时，所述器件可操作以将相对于所述基底(2)的第一电势(P1)施加到所述至少一个电极(3)上，由此导致在所述聚合物层(1)的第二表面(1b)上形成凸起(4)。

公开(公告)号：CN1604213A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410056369.0

申请日：2004-08-03

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： A·柴肯 ,  G·吉布森

IPC: G11B9/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/257 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/1472 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  Y10T428/21

Abstract: 提供一种介质存储器件及所述器件的制造方法。所述器件包括数据层(303，403，503，603)，它能够借助于施加能量束(140)例如近场光学无衍射有限束或电子束来存储和擦除数据。将单独的顶盖层(306，406，506)淀积在数据层(303，403，503，603)上。单独的顶盖层(306，406，506)对所述能量束(140)相对透明并可由各种材料形成，包括(但不限于)外延材料、导电材料和坚固高熔点材料，例如钼。

公开(公告)号：CN101479850B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200780023834.2

申请日：2007-06-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Q·马 ,  V·R·劳 ,  T·A·仇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1436 ,  G11B9/1472

Abstract: 一种装置包括衬底、在衬底上形成的加热器、以及在加热器上形成的相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。一种方法包括：在衬底上形成加热器；以及在加热器上形成相变层。加热器包括加热器层以及电耦合到加热器层的第一和第二电极。

公开(公告)号：CN101221768B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710162123.5

申请日：2007-12-18

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： O·N·麦亚索夫 ,  I·K·桑德尔

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/66 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1472 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明涉及包括光活性介质的数据存储装置以及电场辅助记录方法。该装置包括数据存储介质，该介质包括磁记录元件和靠近磁记录元件定位的光活性材料；电场源，用于将电场施加到数据存储介质的一部分；电磁辐射源，用于照射数据存储介质；以及磁场源，用于将磁场施加到数据存储介质的该部分。

公开(公告)号：CN101410898A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010422.5

申请日：2007-03-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 厄尔斯·T·杜里格 ,  伯恩德·W·戈特斯曼 ,  阿明·W·诺尔

IPC: G11B9/00

CPC classification number: G11B3/705 ,  B05D1/286 ,  B29C33/60 ,  B29C43/00 ,  B82Y10/00 ,  C09D165/00 ,  G11B3/72 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/002

Abstract: 本发明提供一种制造数据存储介质的方法，包括步骤：a)涂覆包括聚合物材料的层(2)到模板表面(1)的至少一部分上，由此得到改性的模板表面(2’)；b)夹住目标表面(3)与步骤(a)中制造的所述改性的模板表面(2’)，由此得到一组件；以及c)引入液体(4)到步骤(b)中获得的所述组件的周围，由此将所述改性的模板表面(2’)的包括聚合物材料的层(2)转移到所述目标表面(3)上的至少一相邻区域上。