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公开(公告)号：CN101476104A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810243410.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1－x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。
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公开(公告)号：CN113948115B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110796013.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Inventor： M·门内加
Abstract: 本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元通过所述第三控制线彼此耦合；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元耦合至所述第一控制线，并且所述第二存储器单元耦合至所述第二控制线。
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公开(公告)号：CN113948114A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110794412.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Abstract: 提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。
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公开(公告)号：CN101476104B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810243410.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，基于纳米晶高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜，其中0.2≤x≤0.9，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜有如下特点：当x值较小时，其可以在高温快速热退火处理后保持非晶；而当x值较大时，高温快速热退火可以让其部分结晶析出ZrO2纳米晶，同时其又是一种高介电系数、大禁带宽度的绝缘体，替代SiO2后可以减小器件尺寸的同时保持优良的绝缘性，因此可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种高介电系数(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜的制备方法，该方法包括：使用合适配比的ZrO2和SiO2烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备高介电系数锆硅氧薄膜。
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公开(公告)号：CN113948114B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110794412.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Abstract: 提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948115A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110796013.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Inventor： M·门内加
Abstract: 本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元通过所述第三控制线彼此耦合；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元耦合至所述第一控制线，并且所述第二存储器单元耦合至所述第二控制线。
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公开(公告)号：CN101131837A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710096092.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向/从记录介质的数据记录或再现。
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公开(公告)号：CN117524268B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311611922.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Abstract: 存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括：存取器件集，每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址；多个存储器单元，其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址，存取器件集配置为基于供给到第一和第二控制线集的控制电压控制供给到存储器单元布置的第三控制线集的电压；多个存储器单元中的每个包括第一和第二电极部分；多个存储器单元中的每个的第一电极部分连接到存取器件集中对应存取器件，和/或多个存储器单元中的每一者的第一电极部分连接到第四控制线集中对应第四控制线；多个存储器单元中的每一者的第一和/或第二电极部分包括金属材料或至少不包括半导体材料。
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公开(公告)号：CN117524268A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311611922.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Abstract: 存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括：存取器件集，每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址；多个存储器单元，其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址，存取器件集配置为基于供给到第一和第二控制线集的控制电压控制供给到存储器单元布置的第三控制线集的电压；多个存储器单元中的每个包括第一和第二电极部分；多个存储器单元中的每个的第一电极部分连接到存取器件集中对应存取器件，和/或多个存储器单元中的每一者的第一电极部分连接到第四控制线集中对应第四控制线；多个存储器单元中的每一者的第一和/或第二电极部分包括金属材料或至少不包括半导体材料。
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公开(公告)号：CN109074825A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023146.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 代尔夫特工业大学
Inventor： 兰科·托什科维奇 , 埃莉奥诺拉·法伦福特 , 马尼克斯·雷伯根 , 亚历山大·费迪南德·奥特 , 弗洛里斯·爱德华·卡尔夫 , 扬·吉罗夫斯基
Abstract: 本发明处于使用空位操纵的原子级数据存储装置、提供所述装置的方法、以及操作所述装置的方法的领域。现有技术大容量数据存储装置通常依赖形成离散阵列的磁性材料或者依赖纳米级晶体管。另外的示例例如是光学系统如DVD和光盘。这些装置和系统具有大的但是对于一些应用仍然有限的存储能力。
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