Invention Grant
- Patent Title: 接触探针存储FET传感器及写加热器装置
- Patent Title (English): Contact probe storage FET sensor and write heater arrangements
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Application No.: CN200410081830.8Application Date: 2004-12-17
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Publication No.: CN1670850BPublication Date: 2010-10-20
- Inventor: R·G·梅希亚 , R·L·希尔顿
- Applicant: 希捷科技有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 希捷科技有限公司
- Current Assignee: 美国加利福尼亚州
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 吴立明; 张志醒
- Priority: 10/736600 2003.12.17 US; 10/827370 2004.04.20 US
- Main IPC: G11B9/00
- IPC: G11B9/00

Abstract:
一种用于接触探针存储装置等的读/写装置,具有设置有介质(108)的悬臂(100),该介质相对于悬臂(100)可移动。将与悬臂和介质其中之一相关联的器件(114)设置为,响应于对介质和悬臂之间的电场变化,该电场变化是通过介质和悬臂之间距离的变化产生的。在悬臂上设置加热器(116)用于加热介质,并用于引起表示数据位的局部形态的变化。一个电路电互连该器件和该加热器。
Public/Granted literature
- CN1670850A 接触探针存储FET传感器及写加热器装置 Public/Granted day:2005-09-21
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IPC分类: