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公开(公告)号：CN106062258A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
Abstract: 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN104975340B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510161991.6
申请日：2015-04-07
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B11/10 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/20 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06
Abstract: 一种用于生产硅的单晶体的设备和方法。该设备包括板，该板具有带外边缘和内边缘的顶侧、邻接内边缘的中央开口和从中央开口延伸到板的底侧下面的管；用于计量至板的顶侧上的颗粒状硅的装置；第一感应加热线圈，其设置在板的上方并且提供来用于熔化沉积的颗粒状硅；第二感应加热线圈，其设置在板的下面并且提供来用于稳定硅的熔体，在生长硅的单晶体时出现熔体。该设备的特征在于，板的顶侧是由陶瓷材料构成的并且具有隆起，相邻的隆起的中间部之间在径向方向上的距离不小于2mm并且不大于15mm。
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公开(公告)号：CN101649485B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910165767.9
申请日：2009-08-13
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第二感应加热线圈将热量输入熔体，该熔体颈穿过该开口；及熔体在相界面处结晶；其特征在于，将冷却气体送至该排出管及该熔体颈，以调节该排出管与该熔体颈之间界面的轴向位置。本发明还涉及用于实施该方法的设备。
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公开(公告)号：CN107268079A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710088583.1
申请日：2017-02-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B28/14 , C01B33/035 , C23C16/24 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B29/06 , C30B35/007 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法。本发明提供一种适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅。以如下多晶硅作为原料制造FZ单晶硅时，FZ单晶化的工序中的晶体线消失得到显著地抑制，该多晶硅是在基于西门子法的合成结束后实施热处理、通过该热处理使以密勒指数面 和 作为主面的晶粒生长成而得的多晶硅，并且该多晶硅在上述热处理后的来自密勒指数面 和 的X射线衍射强度与上述热处理前的X射线衍射强度相比均为1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN103237928A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056479.5
申请日：2011-11-23
Applicant: 思利科材料有限公司
IPC: C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B13/10 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B29/52
CPC classification number: C30B13/10 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B11/08 , C30B13/00 , C30B13/08 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B29/52 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 描述了使用不同等级的硅原料形成硅锭和硅晶体的技术。共同特征是将预定量的锗添加至熔体并进行结晶以将锗引入各个晶体硅材料的硅晶格。这种引入的锗导致各个硅材料特征的改进，包括增加的材料强度和改进的电学性能。这在将这种材料应用于太阳能电池制造并从这些太阳能电池制造模块时引起积极影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101649485A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165767.9
申请日：2009-08-13
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第二感应加热线圈将热量输入熔体，该熔体颈穿过该开口；及熔体在相界面处结晶；其特征在于，将冷却气体送至该排出管及该熔体颈，以调节该排出管与该熔体颈之间界面的轴向位置。本发明还涉及用于实施该方法的设备。
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公开(公告)号：CN106062258B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
Abstract: 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN105274618A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510282587.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/108
Abstract: 用于由半导体材料制造晶体的装置和方法。该装置包括一坩埚和一感应加热线圈，所述坩埚具有坩埚底和坩埚壁，其中，所述坩埚底具有上侧和下侧和多个贯通开口，所述多个贯通开口布置在所述坩埚壁和坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上侧和所述下侧上有拱曲部，所述感应加热线圈布置在所述坩埚下面并设置用于使半导体材料熔融和使半导体材料构成的熔液稳定，该熔液覆盖半导体材料构成的正在生长的晶体。方法包括在坩埚底的上侧上产生半导体材料构成的储备量的散装部并在使用感应加热线圈的情况下熔融散装部的半导体材料。
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公开(公告)号：CN103668435A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310398585.2
申请日：2013-09-03
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及制造硅单晶的方法，该方法包括：感应加热硅板；使所述硅板上的颗粒状硅熔化；将熔化的硅经由位于所述板的中心的流出管送至相界面，在此使硅单晶结晶；在感应加热所述板之前感应加热硅环，其中所述环位于所述板上，并且所述环的电阻率低于所述板；及使所述环熔化。
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公开(公告)号：CN108707963A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810746596.8
申请日：2018-07-09
Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
IPC: C30B13/08
CPC classification number: C30B13/08
Abstract: 本发明创造提供了一种区熔单晶炉新型吊料装置，主要解决了吊料装置容易变形和吊料量满足不了目前需求的问题。它包括多晶料调整组件和卡料盘组件。多晶料调整组件由调整盘本体、两个拨片、两个旋转轴、四个旋转轴底座、三个调整螺栓组成。其中旋转轴底座焊接在调整盘本体上，拨片通过旋转轴装配在旋转轴底座上；调整螺栓装在调整盘上，彼此相隔120度角。卡料盘组件由直槽卡料盘，弯槽卡料盘，变径悬挂杆，三个卡料螺栓组成。变径悬挂杆与直槽卡料盘焊接；弯槽卡料盘通过卡料螺栓与直槽卡料盘装配；卡料螺栓可在直槽和弯槽中滑动，调节三个卡料螺栓与多晶料接触。本发明可有效降低吊料装置的变形量，提高拉晶过程中多晶料的稳定性及生产的安全性。
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