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公开(公告)号：CN105714373B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510940322.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。
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公开(公告)号：CN104540984A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380037711.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/16 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明涉及用于通过在熔体区使单晶结晶而制备单晶的装置。所述装置包括壳体、用于在熔体区产生热的电感器、围绕结晶单晶并对其进行热辐射的再热器以及分隔底部，该分隔底部将再热器与壳体的壁之间的中间空间向下限定在再热器下端。
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公开(公告)号：CN102146581A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110027762.7
申请日：2011-01-20
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T428/21
Abstract: 由硅组成的半导体晶片的制造方法，其包括：从坩埚中所包含的熔体以一个拉伸速率拉伸具有直径增加的圆锥形区段及紧接着的直径至少为450mm且长度至少为800mm的圆柱形区段的单晶，在拉伸从圆锥形区段至圆柱形区段的过渡段时的拉伸速率比在拉伸圆柱形区段时的平均拉伸速率高至少1.8倍；以至少20kW的冷却功率冷却生长的单晶；从坩埚的侧壁向生长的单晶导入热量，其中在包围生长的单晶的挡热板与熔体表面之间存在高度至少为70mm的缝隙；及从圆柱形区段切割半导体晶片，其中多个半导体晶片包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的圆形区域。还涉及直径为450mm的由硅组成的半导体晶片，其包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的区域。
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公开(公告)号：CN113061987A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011457462.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明提供一种用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备，该硅单晶具有圆柱形部分，在该圆柱形部分中电阻率不大于2毫欧姆厘米，该方法包括通过CZ法从包含在坩埚中的熔体提拉单晶。该方法还包括在提拉单晶的圆柱形部分的过程中，向熔体的表面提供气流，该气流包括气态掺杂剂，其中将管道系统中的气流引导到提拉腔室内，并穿过围绕生长的单晶的隔热罩，或沿着隔热罩的外表面，到达隔热罩的下端处的环形通道，并从那里通过喷嘴至熔体的表面。
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公开(公告)号：CN103173848B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210562337.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173848A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210562337.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。
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公开(公告)号：CN117769612A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280053719.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： O·泽曼 , Q·T·都 , P·埃申贝歇-布拉特 , G·拉明
Abstract: 根据切克劳斯基法生产晶体的设备和方法。所述设备包括：包括表面的拉制轴；适于在晶体提拉期间保持晶种的晶种保持器；以及中空截头圆锥体形式的盘状件，所述盘状件构建开口，包括顶部半径R2、高度h、材料厚度b以及基板，所述基板具有半径R1和具有直径d的孔，其中，所述盘状件被固定在所述晶种保持器与所述拉制轴之间，使得所述开口面向拉制轴。
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公开(公告)号：CN104540984B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380037711.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/16 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明涉及用于通过在熔体区使单晶结晶而制备单晶的装置。所述装置包括壳体、用于在熔体区产生热的电感器、围绕结晶单晶并对其进行热辐射的再热器以及分隔底部，该分隔底部将再热器与壳体的壁之间的中间空间向下限定在再热器下端。
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公开(公告)号：CN105274618A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510282587.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/108
Abstract: 用于由半导体材料制造晶体的装置和方法。该装置包括一坩埚和一感应加热线圈，所述坩埚具有坩埚底和坩埚壁，其中，所述坩埚底具有上侧和下侧和多个贯通开口，所述多个贯通开口布置在所述坩埚壁和坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上侧和所述下侧上有拱曲部，所述感应加热线圈布置在所述坩埚下面并设置用于使半导体材料熔融和使半导体材料构成的熔液稳定，该熔液覆盖半导体材料构成的正在生长的晶体。方法包括在坩埚底的上侧上产生半导体材料构成的储备量的散装部并在使用感应加热线圈的情况下熔融散装部的半导体材料。
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公开(公告)号：CN111051578A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055731.2
申请日：2018-08-28
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 一种由硅组成的单晶，所述单晶的晶向为 ，所述单晶掺杂有n型掺杂剂，所述单晶包括起始锥体、圆柱形区段和端部锥体，其中，在所述起始锥体的中间区段中的晶体角不小于20°且不大于30°，所述中间区段的长度不小于所述起始锥体的长度的50％，棱边棱面从所述单晶的边缘延伸至所述单晶中，其中，在所述起始锥体和所述圆柱形区段中的所述棱边棱面的长度分别不大于700μm。
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