公开(公告)号：CN109056070A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810751031.9

申请日：2018-07-10

Applicant: 南昌大学

Inventor： 彭洪 ,  冯星灿 ,  王立

IPC: C30B29/38 ,  C30B28/14

CPC classification number: C30B29/38 ,  C30B28/14

Abstract: 本发明公开了一种多晶氮化铟的制备方法，包括：非晶衬底表面清洗；将清洗干净的非晶衬底放入等离子体原子层沉积系统中；在真空条件下，含铟化合物和氮等离子在等离子体原子层沉积系统中进行反应，在非晶衬底表面制备多晶氮化铟。其在密闭的等离子体原子层沉积系统中，通过调节等离子体功率、反应温度、反应时间等参数制备氮化铟薄膜，制备的过程中，反应所需要的温度较低，原料来源广泛，操作简单。

公开(公告)号：CN107937984A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711104557.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 段满龙 ,  董志远 ,  赵有文 ,  杨俊

IPC: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B28/04 ,  C30B28/14

Abstract: 一种磷化铟的合成方法及其合成装置，将放置在密封管内的存放铟的第一容器和存放磷的第二容器初始均放置在磷压控制区内，磷压控制区的温度大于或等于磷的汽化温度并低于磷化铟的熔点，利用磷压控制区的温度来融化并预热铟并使得磷汽化，在密封管的移动方向上，第一容器位于第二容器前方；密封管从磷压控制区向反应区移动，反应区的温度大于或等于磷化铟的熔点，在反应区内，磷蒸汽熔解到铟熔体中，形成磷化铟熔体；密封管从反应区向多晶冷却区移动，多晶冷却区的温度低于反应区的温度，磷化铟熔体在多晶冷却区冷却为磷化铟多晶。本发明利用磷压控制区存放液态铟，有效避免高温铟与石英坩埚壁反应导致的Si污染问题，InP多晶产品纯度更高。

公开(公告)号：CN106400110A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610796592.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 兰州空间技术物理研究所

Inventor： 裴晓强 ,  冯焱 ,  孙雯君 ,  郭美如 ,  袁征难 ,  马亚芳 ,  丁栋 ,  杨利

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  G01L9/00 ,  G01L21/00

CPC classification number: C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种多晶金刚石复合感压薄膜、其制备方法及电容薄膜真空规，属于真空测量技术领域。所述复合感压薄膜由衬底及衬底单侧表面分布的多晶金刚石薄膜组成；衬底为硅片、铝片、钛片或不锈钢片，多晶金刚石薄膜通过MPCVD在衬底上生长得到。通过用金刚石粉对衬底表面研磨粗糙后，真空下预热，通氢气，调真空度，微波激发氢气起辉，通甲烷和氮气，调整微波功率，加热进行多晶金刚石薄膜沉积，得到所述复合感压薄膜。可实现不同基底上生长多晶金刚石薄膜作为复合感压薄膜，耐受各种温度下氧化性酸及腐蚀性气体，克服了传统感压薄膜膜片变形导致的测量误差，多晶金刚石薄膜机械性能好，有助于扩展电容薄膜真空规测量范围及灵敏度。

公开(公告)号：CN106149046A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610669690.9

申请日：2016-08-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨春晖 ,  马天慧 ,  朱崇强 ,  雷作涛

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/14 ,  C30B29/46

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B28/14

Abstract: 硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法，它涉及中远红外非线性材料的多晶合成和单晶生长方法。它是要解决现有的GaSe多晶合成的化学计量偏移大和产率低及自发成核阶段易形成无效晶核与单晶生长方向不确定的技术问题。多晶合成：把单质Ga放在小舟中，再把它放到石英管的一端，Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平双温区管式电阻炉中合成，得到GaSe多晶，其化学计量比为1：(1～1.05)，产率大于97％。单晶生长：将GaSe多晶加入到PBN坩埚中，然后将PBN坩埚竖直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直双温区管式电阻炉中，单晶生长结束后获得GaSe单晶。可用作中远红外激光材料实现8～10μm激光输出。

公开(公告)号：CN102016135B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN109252215A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810724213.7

申请日：2018-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  星野成大 ,  冈田哲郎 ,  祢津茂义 ,  石田昌彦

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/14

CPC classification number: C30B35/007 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B28/14

Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。

公开(公告)号：CN107805797A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201610817234.4

申请日：2016-09-09

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 田保峡 ,  王力 ,  李天笑

IPC: C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及一种过温保护装置及方法，适用于MOCVD设备，包含：信息采集装置，采集MOCVD设备的运行参数信息；信号转换装置，与信息采集装置连接，对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换；实时控制器，与信号转换装置连接，接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息，检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件；连锁保护电路，与实时控制器连接，当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时，该连锁保护电路被触发，启动应急保护措施。本发明通过采集MOCVD设备的运行参数信息对于可能发生的温度失控等事故进行准确的预测和判断，及时启动有效的应急保护措施，确保设备不受损伤并且避免人员伤亡。

公开(公告)号：CN106856660A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201680002109.6

申请日：2016-06-21

Applicant: 住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 金冈秀明 ,  今村晋也 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  出谷隆典

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/08

CPC classification number: C30B29/20 ,  B23B27/148 ,  B23B2224/04 ,  B23B2224/28 ,  B23B2224/36 ,  B23B2228/04 ,  B23B2228/105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/36 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45523 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C30/005 ,  C30B28/14

Abstract: 表面被覆切削工具包括基材和形成在所述基材上的覆膜。所述覆膜包括α‑Al2O3层。所述α‑Al2O3层包含多个α‑Al2O3晶粒和多个κ‑Al2O3晶粒，并且织构系数TC(hkl)中的TC(006)大于5。Cκ比Cα和Cκ之和的比率：[Cκ/(Cα+Cκ)×100](％)为0.05％至7％，其中Cα为由所述覆膜的x射线衍射的测量数据获得的所述α‑Al2O3晶粒的峰计数的总数，并且Cκ为由所述覆膜的x射线衍射的测量数据获得的所述κ‑Al2O3晶粒的峰计数的总数。

公开(公告)号：CN105543955A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610107390.1

申请日：2016-02-26

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 江润峰 ,  孙天拓 ,  陆叶涛

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B28/14 ,  C30B29/06

Abstract: 一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。

公开(公告)号：CN104674184A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310638442.4

申请日：2013-12-02

Applicant: 有研新材料股份有限公司

Inventor： 徐继平 ,  史训达 ,  张硕 ,  李耀东 ,  刘斌 ,  赵晶 ,  王海涛 ,  梁雨东 ,  刘佐星

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45561 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06

Abstract: 一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置及沉积方法。该气体传输装置包括主输气管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管的侧面上分别设有数个出气孔。沉积方法包括：(1)将气体传输装置装载在垂直炉上，进气口连接质量流量计和硅烷气体源；(2)设定沉积腔体内的温度、沉积压力和硅烷流量；(3)通硅烷气体，在硅基衬底上沉积多晶硅膜。采用本发明的气体传输装置和沉积方法沉积的8英寸硅基多晶硅膜，膜质吸杂性能非常好，真正达到了工艺简化、质量提升和成本降低的目的。