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公开(公告)号：CN112334605B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201980042984.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 通过FZ法制备半导体材料的单晶的方法，实施该方法的设备以及硅半导体晶片。该方法包括在进料棒和生长的单晶之间产生熔融区；在第一感应线圈的高频磁场中熔化进料棒的材料；使生长的单晶顶部的熔融区的材料结晶；使生长的单晶围绕旋转轴旋转，并根据预定的模式改变旋转方向和旋转速度；以及在熔融区上施加第二感应线圈的交变磁场，其中交变磁场相对于生长的单晶的旋转轴不是轴对称的。
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公开(公告)号：CN112334605A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980042984.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 通过FZ法制备半导体材料的单晶的方法，实施该方法的设备以及硅半导体晶片。该方法包括在进料棒和生长的单晶之间产生熔融区；在第一感应线圈的高频磁场中熔化进料棒的材料；使生长的单晶顶部的熔融区的材料结晶；使生长的单晶围绕旋转轴旋转，并根据预定的模式改变旋转方向和旋转速度；以及在熔融区上施加第二感应线圈的交变磁场，其中交变磁场相对于生长的单晶的旋转轴不是轴对称的。
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公开(公告)号：CN104540984B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380037711.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/16 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明涉及用于通过在熔体区使单晶结晶而制备单晶的装置。所述装置包括壳体、用于在熔体区产生热的电感器、围绕结晶单晶并对其进行热辐射的再热器以及分隔底部，该分隔底部将再热器与壳体的壁之间的中间空间向下限定在再热器下端。
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公开(公告)号：CN102061512A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010294175.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及一种用于通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的方法，包括：借助于设置在由硅构成的转动板的下方的感应加热线圈，使单晶体的锥形延伸区段结晶；以及通过板中的锥形管将被感应熔化的硅供给到熔融体，所述管环绕板的中心开口且延伸到板的下方，所述熔融体位于单晶体的锥形延伸区段上，且与锥形管的管端接触，其中，借助于设置在板的下方的感应加热线圈，提供足够的能量，以便在单晶体的锥形延伸区段具有15-30mm的直径且结晶时使管端的外径不小于15mm。
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公开(公告)号：CN101649485A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165767.9
申请日：2009-08-13
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第二感应加热线圈将热量输入熔体，该熔体颈穿过该开口；及熔体在相界面处结晶；其特征在于，将冷却气体送至该排出管及该熔体颈，以调节该排出管与该熔体颈之间界面的轴向位置。本发明还涉及用于实施该方法的设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173848B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210562337.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。
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公开(公告)号：CN101649485B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910165767.9
申请日：2009-08-13
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体材料的单晶的方法，该方法包括：在具有由半导体材料组成的排出管的圆盘上利用第一感应加热线圈熔化半导体材料的颗粒；由熔化的颗粒形成熔体，其由该排出管以熔体颈和熔体腰的形式延伸至相界面；利用具有开口的第二感应加热线圈将热量输入熔体，该熔体颈穿过该开口；及熔体在相界面处结晶；其特征在于，将冷却气体送至该排出管及该熔体颈，以调节该排出管与该熔体颈之间界面的轴向位置。本发明还涉及用于实施该方法的设备。
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公开(公告)号：CN103173848A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210562337.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B13/20 , C30B13/30 , C30B29/06 , Y10T117/1088
Abstract: 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。
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公开(公告)号：CN105714373A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510940322.9
申请日：2015-12-16
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。
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公开(公告)号：CN102061512B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010294175.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及一种通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的方法，包括：借助于设置在由硅构成的转动板的下方的感应加热线圈，使单晶体的锥形延伸区段结晶；以及通过板中的锥形管将被感应熔化的硅供给到熔融体，所述管环绕板的中心开口且延伸到板的下方，所述熔融体位于单晶体的锥形延伸区段上，且与锥形管的管端接触，其中，借助于设置在板的下方的感应加热线圈，提供足够的能量，以便在单晶体的锥形延伸区段具有15-30mm的直径且结晶时使管端的外径不小于15mm。
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