公开(公告)号：CN106185850A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610554330.4

申请日：2016-07-15

Applicant: 合肥正帆电子材料有限公司

Inventor： 曾庆腾 ,  许召文

IPC: C01B25/06 ,  C01B6/06 ,  C23C8/06

CPC classification number: C01B25/06 ,  C01B6/065 ,  C23C8/06

Abstract: 本发明涉及一种超高纯砷化氢、磷化氢及其混合物气体钢瓶的钝化处理工艺。包括以下步骤：将待钝化处理的第一钢瓶进行100-200℃高温加热烘烤；通过抽风机对第一钢瓶进行抽真空处理，并持续对第一钢瓶进行100-200℃高温加热烘烤处理，当第一钢瓶抽至真空状态时，吹扫置换；通过抽风机再对第一钢瓶进行抽真空处理，并持续对第一钢瓶进行100-200℃高温加热烘烤处理，当第一钢瓶抽至真空状态时，内壁钝化；通过气体回抽装置对第一钢瓶进行抽真空处理，并将抽取的砷化氢、磷化氢气体回收至回收气体钢瓶。

公开(公告)号：CN102625859B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080040072.9

申请日：2010-09-06

Applicant: ALD真空技术有限公司

Inventor： V·霍伊尔 ,  K·勒泽 ,  G·施密特 ,  G·韦尔奇格

IPC: C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C8/20 ,  C23C8/22 ,  C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/80

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C8/20 ,  C23C8/22 ,  C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/80

Abstract: 为一种用于对工件进行热处理的方法设置一种装置，该装置具有一个冷却室和两个或更多个渗碳室，在其中工件借助加热装置的直接的热辐射被加热到950℃至1200℃的温度。

公开(公告)号：CN101802246A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106282.6

申请日：2008-10-22

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 渡边崇则 ,  岩村英明 ,  西川晃司

IPC: C23C8/08 ,  C22C14/00

CPC classification number: C23C8/08 ,  C22C14/00 ,  C22C21/003 ,  C23C8/06 ,  C23C8/80

Abstract: 提供用于以适于量产的方法使Ti-Al系合金的耐高温氧化性提高的表面处理方法和Ti-Al系合金。对于含有Al为15原子％以上、55原子％以下的Ti-Al系合金基材，在含有氟源气体的气氛中加热保持，在其表面形成厚0.1μm以上、10μm以下的氟稠化层，并且该氟稠化层中的F的最高浓度为2原子％以上、35原子％以下，在曝露于高温氧化气氛中时，Ti-Al系合金基材的表面被氧透过性极低的Al2O3皮膜覆盖，由此显示出优异的耐高温氧化性。由于能够以适于量产的方法来实施提高轻量、高温强度高的Ti-Al系合金作为最大的缺点的耐高温氧化性的低水平，由此能够适合利用到例如增压用涡轮和发动机气门、燃气涡轮的涡轮叶片等之上。

公开(公告)号：CN101730373A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810172701.8

申请日：2008-11-03

Applicant: 北京坚润表面材料研究所

Inventor： 张弋飞 ,  张昕辉

IPC: H05H1/00 ,  B01J19/08

CPC classification number: C23C8/06 ,  C23C8/36 ,  C23C10/06 ,  C23C14/48 ,  D06M11/09 ,  D06M14/18 ,  D06M16/00 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明提供了一种制备含有微米纳米固体、液体的雾态气体的方法，以及通过雾态气体放电形成新材料的方法，还提供了以此方法形成新材料的设备。本发明的优点在于雾态气体相对于气态，组成元素及化合物选择范围广，适用温度与压力范围宽。由于雾态AI(m)的存在，在密闭容器中，单位体积的雾态气体中A的浓度，远远高于单位体积的气体中A的浓度。在一些特定条件下物理化学反应更容易进行，能形成新的材料并有更高的效率。

公开(公告)号：CN1985019B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200580023227.7

申请日：2005-07-08

Applicant: 西门子公司

Inventor： B·布伦纳 ,  S·邦斯 ,  F·蒂特茨 ,  J·卡斯帕 ,  D·沃特

IPC: C23C8/20 ,  C23C8/06 ,  C23C8/08 ,  C23C24/08 ,  B23K26/00 ,  C22B4/00

CPC classification number: C23C8/06 ,  B23K26/32 ,  B23K26/34 ,  B23K31/025 ,  B23K35/325 ,  B23K2101/001 ,  B23K2103/14 ,  C23C8/24 ,  C23C24/08 ,  Y02T50/67

Abstract: 本发明涉及功能构件的边缘层整饰，特别是涉及在钛合金中制备耐磨和耐疲劳的边缘层的方法及其所制备的构件。本发明的通过激光气体合金化在钛合金中制备耐磨和耐疲劳的边缘层的方法的主要特征在于，用反应气体进行激光气体合金化，该反应气体中含有或释放在所用钛合金中呈间隙可溶的元素，选择该反应气体的分压，使其保持在低于形成氮化物钛相、碳化物钛相或硼化物钛相的阈值。本发明的由钛合金制成的具有气体合金化边缘层的耐磨和耐疲劳的构件的特征主要在于，该耐磨损的边缘层由含间隙溶解反应气体的α-钛颗粒和β-钛颗粒的细粒混合物组成，在研磨表面上测定的表面硬度HS为360HV0.5≤HS≤500HV0.5或在表面下0.1mm处的抛光截面测定的边缘层显微硬度HR为360HV0.1≤HR≤560HV0.1，以深度tR为0.1mm≤tR≤3.5mm延伸，不含由该反应气体产生的氮化物相、碳化物相、氧化物相或硼化物相。

公开(公告)号：CN109666882A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710966553.6

申请日：2017-10-17

Applicant: 中国石油化工股份有限公司 ,  中国石油化工股份有限公司北京化工研究院

Inventor： 王申祥 ,  王红霞 ,  郏景省 ,  王国清

IPC: C23C8/06 ,  C22C38/22 ,  C22C38/34 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/26 ,  C22C38/28

CPC classification number: C23C8/06 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/22 ,  C22C38/26 ,  C22C38/28 ,  C22C38/34

Abstract: 本发明涉及合金材料领域，公开了提高合金的抗结焦性能的方法及合金材料。所述方法包括：使用含硫化物蒸汽、水蒸气和还原性气体的混合气体对表面粗糙度为0.2-10μm的合金进行表面处理，以合金的总重量为基准，所述合金含有Fe：76.4-97.5wt％；Cr：1.5-20wt％；Mn：0.3-0.8wt％；Si：0.4-2wt％；C：0.1-0.2wt％；Mo：0.2-0.6wt％；微量元素：0-1wt％；所述微量元素为Al、Nb、Ti、W和稀土元素中的至少一种。本发明还公开了上述方法处理得到的合金材料。本发明方法改性的合金材料具有显著提高的抗结焦性能。

公开(公告)号：CN107245689A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710358213.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 许昌学院

Inventor： 雷岩 ,  谷龙艳 ,  张磊磊 ,  郑直 ,  杨晓刚 ,  高远浩 ,  铁伟伟

IPC: C23C8/06

CPC classification number: C23C8/06

Abstract: 本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。本发明方法可大面积快速制备卤化甲胺铅薄膜、制备的卤化甲胺铅薄膜厚度均匀性好，卤化甲胺铅结晶好晶体粒径大，直径可达到0.5‑2微米，优选可达到1‑3微米，克服了传统方法成膜晶粒小的问题。具有广泛的实验室器件研究及工业应用前景。

公开(公告)号：CN105377476A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038644.8

申请日：2014-07-30

Applicant: 联合工艺公司

Inventor： Y.佘 ,  A.T.纳迪 ,  M.A.克莱卡

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/06

CPC classification number: B22F1/0085 ,  B01J2/16 ,  B01J6/004 ,  B01J8/1836 ,  B22F1/02 ,  B22F3/003 ,  B22F3/008 ,  B22F2201/10 ,  B22F2999/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  C21D1/53 ,  C21D1/74 ,  C23C8/06 ,  C23C24/04

Abstract: 本发明公开一种系统，所述系统包括炉膛、流化床组件和粉末床。所述流化床组件被定位在所述炉膛中并且包括具有用于接收气体的外腔入口的外腔、定位在所述外腔内部的内腔。所述内腔包括与所述外腔流体连通的内腔入口，和所述气体可通过其退出所述内腔和所述外腔的出口。所述粉末床被设置在所述内腔中。

公开(公告)号：CN100372067C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200410068272.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L21/22

CPC classification number: C30B31/10 ,  C23C8/06 ,  C30B31/06 ,  C30B31/165 ,  C30B35/00

Abstract: 提供一用于在晶片中形成掺杂层的扩散系统。该扩散系统包括一产生掺杂气体的扩散器；一预先混合掺杂气与反应气体并预先加热气体混合物的预先混合器；一主室，气体混合物在其中与晶片发生反应；一缓冲箱，其从外部隔离排气孔，并从外部隔离用来将晶片安装进或退出主室的挡板；以及一在主室的反应后将用过的气体排出的废气排出系统。

公开(公告)号：CN1612296A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410068272.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊永 ,  崔秉龙 ,  李银京

IPC: H01L21/22

CPC classification number: C30B31/10 ,  C23C8/06 ,  C30B31/06 ,  C30B31/165 ,  C30B35/00

Abstract: 提供一用于在晶片中形成掺杂层的扩散系统。该扩散系统包括一产生掺杂气体的扩散器；一预先混合掺杂气与反应气体并预先加热气体混合物的预先混合器；一主室，气体混合物在其中与晶片发生反应；一缓冲箱，其从外部隔离排气孔与用来将晶片安装进或退出主室的挡板；以及一在主室的反应后将用过的气体排出的废气排出系统。