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公开(公告)号：CN1519957A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410007426.6
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/103 , H01L33/00 , H01L27/14 , H01L27/15
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G01Q80/00 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/156 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/24 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p－n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。
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公开(公告)号：CN1525572A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410006620.2
申请日：2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L31/125 , H01L33/34
Abstract: 一种硅光电器件和一种光信号输入和/或输出装置。该硅光电器件包括：n或p型硅基衬底；掺杂区，在所述衬底的表面内掺杂成衬底的相反型而形成，并且光线的发射和接收发生于该掺杂区中；和光线发射器件部分和光线接收器件部分，它们共同使用所述掺杂区，并且形成在形成有掺杂区的同一衬底表面上。该硅光电器件具有一个执行放大功能的内建电路，能够选择性地进行光线的发射和接收，并且能够容易地控制光线的发射和接收持续时间。
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公开(公告)号：CN100372067C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410068272.1
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: C30B31/10 , C23C8/06 , C30B31/06 , C30B31/165 , C30B35/00
Abstract: 提供一用于在晶片中形成掺杂层的扩散系统。该扩散系统包括一产生掺杂气体的扩散器；一预先混合掺杂气与反应气体并预先加热气体混合物的预先混合器；一主室，气体混合物在其中与晶片发生反应；一缓冲箱，其从外部隔离排气孔，并从外部隔离用来将晶片安装进或退出主室的挡板；以及一在主室的反应后将用过的气体排出的废气排出系统。
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公开(公告)号：CN1612296A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410068272.1
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: C30B31/10 , C23C8/06 , C30B31/06 , C30B31/165 , C30B35/00
Abstract: 提供一用于在晶片中形成掺杂层的扩散系统。该扩散系统包括一产生掺杂气体的扩散器；一预先混合掺杂气与反应气体并预先加热气体混合物的预先混合器；一主室，气体混合物在其中与晶片发生反应；一缓冲箱，其从外部隔离排气孔与用来将晶片安装进或退出主室的挡板；以及一在主室的反应后将用过的气体排出的废气排出系统。
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公开(公告)号：CN1431720A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02120168.4
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , H01L31/0232 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供一种硅光电器件和利用此硅光电器件的发光设备。此硅光电器件包括：基于n－型或p－型硅的衬底；在衬底的一个表面上形成并用预定掺杂剂掺杂到超浅深度的掺杂区，上述预定掺杂剂为与衬底相反的类型，以便在掺杂区和衬底之间的p－n结通过量子约束提供光电转换效应；在衬底上形成并将与掺杂区电连接的第一和第二电极。此硅光电器件进一步包括在衬底的一个表面上形成的控制层，以便用作形成掺杂区中的掩模并且用于限制超浅的掺杂区的深度。硅光电器件具有优异性能并可以用作发光器件或光接收器件。由于光电器件采用硅作为基础原料，它可以以低成本制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100442526C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410006630.6
申请日：2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1446
Abstract: 公开了一种光接收装置及其制造方法，和包括该光接收装置的光电集成电路。该光接收装置包括：衬底；形成在衬底上的本征区；形成至本征区中较浅深度的第一区；和形成至本征区中较深深度且与第一区隔开的第二区，其中第一和第二区被掺杂有不同导电类型。该光接收装置可缩短具有低迁移率的空穴的渡越时间。因此，不会出现响应延迟，于是，可以实现高响应速度。
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公开(公告)号：CN100411181C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410006620.2
申请日：2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L31/125 , H01L33/34
Abstract: 一种硅光电器件和一种光信号输入和/或输出装置。该硅光电器件包括：n或p型硅基衬底；掺杂区，在所述衬底的表面内掺杂成衬底的相反型而形成，并且光线的发射和接收发生于该掺杂区中；和光线发射器件部分和光线接收器件部分，它们共同使用所述掺杂区，并且形成在形成有掺杂区的同一衬底表面上。该硅光电器件具有一个执行放大功能的内建电路，能够选择性地进行光线的发射和接收，并且能够容易地控制光线的发射和接收持续时间。
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公开(公告)号：CN100353540C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410057912.9
申请日：2004-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/26533 , H01L21/28506 , H01L21/823878 , H01L24/05 , H01L29/0847 , H01L29/78 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体接触结构，包括：一衬底；具有与衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在导电掺杂层上的一导电层；以及形成在衬底中导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。
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公开(公告)号：CN100349304C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN02827874.7
申请日：2002-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/068 , H01L31/103 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种硅光接收器件。在该器件中，一衬底基于n型或p型硅；通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂，使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂，从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区，量子局限效应产生于p-n结中。由于量子局限效应，即使硅被用作半导体材料，该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光，并可被用作太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1618132A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827874.7
申请日：2002-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/068 , H01L31/103 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种硅光接收器件。在该器件中，一衬底基于n型或p型硅；通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂，使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂，从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p－n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区，量子局限效应产生于p－n结中。由于量子局限效应，即使硅被用作半导体材料，该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光，并可被用作太阳能电池。
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