公开(公告)号：CN102906009B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 ,  T.多安 ,  G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀 ,  J.G.通布利 ,  E.J.怀特

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

公开(公告)号：CN103813974A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201280045191.2

申请日：2012-08-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·费伊 ,  J·克拉森

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0008 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176

Abstract: 在一个实施例中，一种形成MEMS装置的方法包括：提供基体；在基体层之上形成牺牲层；在牺牲层上形成硅基工作部分；从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。

公开(公告)号：CN102906009A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 ,  T.多安 ,  G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀 ,  J.G.通布利 ,  E.J.怀特

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

公开(公告)号：CN106946218A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611108178.3

申请日：2016-12-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  F·赖兴巴赫 ,  J·莱茵穆特 ,  J·阿姆托尔

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C1/00285 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，‑在第一方法步骤中，在衬底或在罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，其中，‑在第二方法步骤中，调节在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，‑在第三方法步骤中，通过借助于激光器将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其特征在于，在第四方法步骤中，用于继续调节第一压力和/或第一化学组分的吸气剂材料在衬底的面向第一空穴的第一表面上和/或在罩的面向第一空穴的第二表面上沉积或者生长。

公开(公告)号：CN102906010B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN102036907B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN200980118616.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： F·拉尔默 ,  K·特费伦 ,  C·莱嫩巴赫

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81C1/00888 ,  B81C2201/017 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明涉及一种用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，它具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(7)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从一种结晶状态至少部分地转变为非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。在一种实施形式中同时用蚀刻蚀刻分离沟(6)和洞穴(2)。可通过RIF滞后效应对蚀刻深度进行控制。

公开(公告)号：CN102906008B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025545.2

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。

公开(公告)号：CN103818872A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310471850.5

申请日：2013-10-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.阿伦斯 ,  A.德赫 ,  B.克诺特 ,  S.平德尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00873 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/053 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。

公开(公告)号：CN102906010A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025550.3

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  A.K.斯坦珀 ,  E.J.怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。

公开(公告)号：CN102295265A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。