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公开(公告)号：CN102106161B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980128720.3
申请日：2009-06-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81C1/00047 , B81C1/00103 , H04R31/00
Abstract: 本发明说明一种微机械组件和用于制造这样的组件的方法，其中，从单晶的半导体基片(200)的背侧中的开口(215)出发在基片中产生一个空腔(270)。在此，如此控制为此使用的工序以及所使用的单晶的半导体基片，使得产生在很大程度矩形的空腔。
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公开(公告)号：CN102030307B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010510987.3
申请日：2010-10-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , B81B3/00 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0136 , B81C2203/0792 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/084
Abstract: 本发明涉及用于制造微机械构件的制造方法，包括：以第一绝缘层(14)至少部分地覆盖衬底的第一侧面(11)，由至少一个第一导电材料构成至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，以第二绝缘层(36)覆盖至少所述至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，由至少一个第二导电材料构成至少一个定子接触接头(16)，在衬底中构成至少一个第一沟道(38)来形成可移动质量(10)和保持结构的一框架(30)，其中，在第一方向上蚀刻，和去除第二绝缘层(36)的至少一个位于至少一个致动器板电极(12)与至少一个定子板电极(16)之间的部分质量，其中，在第二方向上蚀刻。本发明还涉及微机械构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111108758A8
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201880061229.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种MEMS麦克风包括：基体；下部膜，其支撑在基体上；上部膜，其悬在下部膜上方；第一电极，其支撑在下部膜上；以及第二电极，其支撑在上部膜上。下部膜和上部膜围成腔，第一电极和第二电极位于腔中。下部膜和上部膜均由碳氮化硅(SiCN)形成。第一电极和第二电极均由多晶硅形成。
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公开(公告)号：CN111108758B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201880061229.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种MEMS麦克风包括：基体；下部膜，其支撑在基体上；上部膜，其悬在下部膜上方；第一电极，其支撑在下部膜上；以及第二电极，其支撑在上部膜上。下部膜和上部膜围成腔，第一电极和第二电极位于腔中。下部膜和上部膜均由碳氮化硅(SiCN)形成。第一电极和第二电极均由多晶硅形成。
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公开(公告)号：CN111108758A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880061229.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 一种MEMS麦克风包括：基体；下部膜，其支撑在基体上；上部膜，其悬在下部膜上方；第一电极，其支撑在下部膜上；以及第二电极，其支撑在上部膜上。下部膜和上部膜围成腔，第一电极和第二电极位于腔中。下部膜和上部膜均由碳氮化硅(SiCN)形成。第一电极和第二电极均由多晶硅形成。
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公开(公告)号：CN102106161A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128720.3
申请日：2009-06-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81C1/00047 , B81C1/00103 , H04R31/00
Abstract: 本发明说明一种微机械组件和用于制造这样的组件的方法，其中，从单晶的半导体基片(200)的背侧中的开口(215)出发在基片中产生一个空腔(270)。在此，如此控制为此使用的工序以及所使用的单晶的半导体基片，使得产生在很大程度矩形的空腔。
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公开(公告)号：CN102030307A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010510987.3
申请日：2010-10-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , B81B3/00 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B2201/0235 , B81B2203/0109 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0136 , B81C2203/0792 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/084
Abstract: 本发明涉及用于制造微机械构件的制造方法，包括：以第一绝缘层(14)至少部分地覆盖衬底的第一侧面(11)，由至少一个第一导电材料构成至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，以第二绝缘层(36)覆盖至少所述至少一个致动器板电极(12)、至少一个接触接头(34)和至少一个弹簧部件(32)，由至少一个第二导电材料构成至少一个定子接触接头(16)，在衬底中构成至少一个第一沟道(38)来形成可移动质量(10)和保持结构的一框架(30)，其中，在第一方向上蚀刻，和去除第二绝缘层(36)的至少一个位于至少一个致动器板电极(12)与至少一个定子板电极(16)之间的部分质量，其中，在第二方向上蚀刻。本发明还涉及微机械构件。
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