公开(公告)号：CN102556946A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110415082.2

申请日：2011-12-13

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 迈克尔·因赞特 ,  威姆·范登艾登 ,  哈罗德·罗森

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2203/0136

Abstract: 一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。

公开(公告)号：CN102556946B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201110415082.2

申请日：2011-12-13

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 迈克尔·因赞特 ,  威姆·范登艾登 ,  哈罗德·罗森

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2203/0136

Abstract: 一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。