Invention Grant
- Patent Title: 具有脱耦结构的传感器单元及其制造方法
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Application No.: CN201580009172.8Application Date: 2015-02-05
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Publication No.: CN106029554BPublication Date: 2018-04-24
- Inventor: J·克拉森 , T·克拉默 , D·C·迈泽尔 , H·本泽尔 , J·弗莱 , C·舍林
- Applicant: 罗伯特·博世有限公司
- Applicant Address: 德国斯图加特
- Assignee: 罗伯特·博世有限公司
- Current Assignee: 罗伯特·博世有限公司
- Current Assignee Address: 德国斯图加特
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 郭毅
- Priority: 102014202915.5 2014.02.18 DE
- International Application: PCT/EP2015/052370 2015.02.05
- International Announcement: WO2015/124432 DE 2015.08.27
- Date entered country: 2016-08-18
- Main IPC: B81B7/00
- IPC: B81B7/00 ; B81C3/00

Abstract:
本发明提出一种传感器单元,其具有第一半导体器件和第二半导体器件,其中,所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构,其中,所述第二半导体器件具有第二衬底,其中,所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接,其中,所述传感器单元具有脱耦结构,该脱耦结构配置为,使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。
Public/Granted literature
- CN106029554A 具有脱耦结构的传感器单元及其制造方法 Public/Granted day:2016-10-12
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