公开(公告)号：CN106876266A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611142764.X

申请日：2016-12-09

Applicant: SUSS麦克瑞泰克光子系统公司

Inventor： 哈比卜·希什里

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/08 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/355 ,  B23K26/359 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31058

Abstract: 本申请案涉及用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层。作为实施例，从晶片移除激光后碎屑的方法包含：在待图案化层上方形成牺牲层；使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层；和用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。所述牺牲层包含水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂。还描述用于移除所述激光后碎屑的系统。