公开(公告)号：CN101536153B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200780041125.7

申请日：2007-10-25

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 赫尔本·多恩博斯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28132 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造具有多个材料的FET栅极的方法，包括沉积虚设区域(8)，其后通过保形沉积每个金属层构成的一个层且其后进行各向异性的回蚀以留下虚设区域的侧面(10)上的金属层从而在栅极电介质(6)上形成多个金属层(16，18，20)。其后，去除虚设区域以留下金属层(16，18，20)作为栅极电介质(6)上的栅极。

公开(公告)号：CN102054929A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010518292.X

申请日：2010-10-20

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 帕斯卡尔·贝思肯 ,  菲特·恩古耶恩霍安 ,  拉杜·苏尔代亚努 ,  伯努特·巴泰娄 ,  戴维·范斯滕温克尔

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/642 ,  F21V29/70 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于调节发光二极管(LED)温度的设备。所述设备包括：热沉、LED底座以及安装在所述LED底座上的LED。所述LED底座被配置为响应于温度变化来改变形状，形状变化改变了LED相对于热沉的位置，以调节LED和热沉之间的热传递。LED底座可以包括诸如双金属条之类的层压部分。

公开(公告)号：CN102012488A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010275303.6

申请日：2010-09-06

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 帕斯卡尔·贝思肯 ,  菲特·恩古耶恩霍安 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: G01R31/44

CPC classification number: G01R31/2635 ,  G01R31/2642 ,  H05B33/0818 ,  H05B33/0851

Abstract: 本发明提供了一种确定LED的老化特性的方法，包括向LED施加电流应力脉冲。监测LED以确定由电流应力脉冲引起的发热何时已经消散至期望水平。然后在施加下一应力脉冲之前测量LED的工作特性。该方法以可再现的方式加速老化效应，从而能够极大地减小可靠性测试所需要的时间。

公开(公告)号：CN102356696B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080012235.2

申请日：2010-02-25

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 彼得·胡贝图斯·弗朗西斯科·德兰博格 ,  G-J·科林 ,  吉安·霍赫扎德 ,  拉杜·苏尔代亚努 ,  帕斯卡尔·贝思肯 ,  伯努特·巴泰娄 ,  菲特·恩古耶恩霍安

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/086 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/0848

Abstract: 公开了一种控制LED的方法，所述方法包括：在第一时间内使用DC电流驱动LED；在第二时间内中断DC电流使得第一时间与第二时间之和为一个时间段，确定在中断DC电流时LED的至少一个特性；以及在后续时间段期间取决于至少一个特性对DC电流进行控制。因此本发明的有利之处在于DC操作的简单性。通过在DC模式中而不是例如PWM模式中操作LED，避免了能够调节占空比所需的要求。通过在DC电流中包括中断，可以使用LED自身作为传感器以确定LED的特性。因此避免了对额外传感器的需求。

公开(公告)号：CN103716972A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310451250.2

申请日：2013-09-27

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 帕斯卡尔·贝思肯 ,  菲特·恩古耶恩 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H05B37/03

CPC classification number: H05B33/0884 ,  G01R31/2635 ,  H05B33/089 ,  H05B33/0893

Abstract: 在此公开了一种利用参数检测串联连接的LED串中LED故障的方法，所述参数表示在预定的相对高的电流下所述串两端的电压与在预定相对低的电流下所述串两端的电压之间的电压差，其中在相对低的电流和相对高的电流等级下通过无故障LED的电流均由少数载流子扩散电流占主导地位，所述方法包括：在首次启动阶段期间确定所述参数的校准值；在存储器中存储所述校准值；在后续的测量阶段期间确定所述参数的后续值；以及响应于所述校准值与后续值之间的差异超过阈值，确定已经发生了LED故障。本公开扩展至配置用于检测LED串中LED故障的控制器、包括这种控制器的LED照明单元，以及包括一个或者多个这种LED照明单元的照明子系统，例如汽车照明子系统。

公开(公告)号：CN102458921A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080027891.X

申请日：2010-06-09

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 菲特·恩古耶恩霍安 ,  帕斯卡尔·贝思肯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: B60Q1/26 ,  B60Q11/00

CPC classification number: B60Q1/2607 ,  B60Q11/002 ,  B60Q2400/20

Abstract: 一种用于汽车外部灯的LED照明系统，包括：第一照明单元(10、12、14、16)，主要用于输出第一汽车灯信号；故障检测系统(26)，用于检测第一照明单元的故障。第二照明单元主要用于输出第二汽车灯信号。所述第二照明单元包括LED灯单元。控制器(30)适用于确定是否存在第一照明单元的故障，并且如果存在第一照明单元的故障，则使用第二照明单元来产生第一汽车灯信号。这是响应于所请求的来自第一照明单元(10、12、14、16)的输出请求。

公开(公告)号：CN101044608B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200580036120.6

申请日：2005-10-19

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 古川有纪子 ,  文森特·C·韦内齐亚 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/38

Abstract: 一种金属-氧化物-半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS迭层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在迭层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。

公开(公告)号：CN101573798A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780049252.1

申请日：2007-12-31

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 拉杜·苏尔代亚努

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7391

Abstract: 制造I－MOS器件的方法包括在掩埋绝缘层(4)上形成半导体层(2)。包括栅极堆叠(14)的栅极结构(23)形成在半导体层上并且用于(5)通过注入对源极区域(28)的形成进行自对准。其后，使用蚀刻步骤来选择性地蚀刻栅极结构(23)，并且其后通过注入形成漏极区域(36)。该方法可精确地控制源极区域(28)和栅极堆叠(14)之间的i区域长度(38)。

公开(公告)号：CN101523607A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036958.4

申请日：2007-10-03

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 吉尔贝托·库拉托拉 ,  普拉巴特·阿加瓦尔 ,  扬·W·斯洛特布姆 ,  戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯 ,  拉杜·苏尔代亚努 ,  赫尔本·多恩博斯

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201

CPC classification number: H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7391

Abstract: 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4)，从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱，积累层(20)以不同于底层(2)和盖层(22)的材料制成。

公开(公告)号：CN102740659A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210085616.4

申请日：2012-03-28

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 拉杜·苏尔代亚努 ,  代明·莱诺贝尔

IPC: H05K7/20 ,  F28D15/00

CPC classification number: F21V29/54 ,  F21S2/005 ,  F21V29/00 ,  F21V29/50 ,  F21V29/51 ,  F21V29/71 ,  F21Y2115/10 ,  F28D20/02 ,  F28D2021/0029 ,  F28F2013/008 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4275 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种主动热管理装置和方法，其中将包括设置为热串联或热并联的多个相变材料的相变材料单元与热能源相连，例如第一工作条件下的一组LED。将来自热能源的热能存储在相变材料单元中。相变材料单元可以与热能池相连，例如第二工作条件下的第二组LED。可以通过与热能池相连接来重新使用在相变材料单元中存储的热能。在一个实施例中，第一工作条件包括15V的电源电压，以及第二工作条件包括没有电源电压或者9V的较低电源电压，使得可以重新使用来自可能过热的第一组LED的过多的热量来预热第二组LED，从而改善了热匹配，因此改善了光学匹配。