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公开(公告)号：CN101375398B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780003425.6
申请日：2007-01-24
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1054 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , Y10S977/75 , Y10S977/813 , Y10S977/938
Abstract: 一种晶体管，其包括纳米线(22，22’)，该纳米线(22，22’)具有被本征区或低掺杂区(26，28)分隔的源极(24)和漏极(29)。在本征区或低掺杂区(26，28)和源极(24)及漏极(29)中的一个的交界面处形成势垒。在该势垒的附近提供栅极电极(32)，从而，通过将适当的电压施加至栅极电极(32)可调制该势垒的高度。
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公开(公告)号：CN101310389A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042885.5
申请日：2006-10-29
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
CPC classification number: H01L29/7606 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , Y10S977/936
Abstract: 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(6)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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公开(公告)号：CN101310389B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680042885.5
申请日：2006-10-29
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
CPC classification number: H01L29/7606 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , Y10S977/936
Abstract: 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(3)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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公开(公告)号：CN100521159C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580035042.8
申请日：2005-10-13
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L21/8248 , H01L27/098 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/098 , H01L21/8248 , H01L27/0623
Abstract: 公开了一种包括源极和漏极区(17、18)的与BiCMOS兼容的JFET器件，以与用于形成发射极外扩散或垂直双极型器件相同的方式形成所述源极和漏极，其中，形成双极型器件中的发射极帽的半导体层形成了JFET器件的沟道(16)，以及形成双极型器件的本征基极区的材料层(即，基极epi-迭层)形成了JFET器件的本征栅极区(14)。结果，可以在标准BiCMOS工艺中实现JFET器件的集成，而无需任何附加掩模或其他处理步骤。
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公开(公告)号：CN101675522A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880015033.6
申请日：2008-04-29
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L27/1446
Abstract: 一种光敏器件(100)，该光敏器件(100)包括基片(101)和布置在基片上和/或布置在基片中的多个垂直排列的纳米线二极管(102至105)。
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公开(公告)号：CN100583447C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200680036092.2
申请日：2006-09-22
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 菲利普·默尼耶-贝亚尔 , 雷蒙德·J·达菲 , 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种具有衬底和包含双极晶体管的硅半导体主体的半导体器件(10)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区分开，所述中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，其位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧。根据本发明，所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。这种器件在中间区(22)处或在其内部具有非常陡峭的N型掺杂分布图(50)和非常陡峭的P型掺杂分布图(20)，并且由此具有较高截止频率(fr)的高频性能。优选地，发射极区(1)在其上半部被掺杂有砷注入，最后的掺杂分布图是在RTA之后形成的。本发明还包括一种制造根据本发明的器件(10)的方法。
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公开(公告)号：CN101310378A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042697.2
申请日：2006-10-27
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 维贾亚哈万·马达卡塞拉 , 普拉巴特·阿加瓦尔 , 约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 , 马克·范达尔
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/28525 , H01L21/76889 , H01L2221/1094
Abstract: 本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体器件的方法，该半导体主体被提供了至少一个半导体元件(E)，并包括单晶硅(1)区域，在该单晶硅区域的顶部，通过在单晶硅区域(1)上提供金属硅化物区域(3)和在金属硅化物区域(3)上提供低结晶度硅区域(4)，来形成外延性硅区域(2)，此后，通过加热将低结晶度硅区域(4)转化为具有高结晶度的外延性硅区域(2)，在这个过程中，金属硅化物区域(3)从低结晶度硅区域(4)的底部被移动到外延性硅区域(2)的顶部。根据本发明，在金属硅化物区域(3)的水平面之上形成了具有开口(6)的绝缘层(5)，在开口(6)中和绝缘层(5)的顶部沉积低结晶度硅区域(4)，通过平面化工艺去除在绝缘层(5)顶部上的低结晶度硅区域(4)的部分(4A，4B)，此后，形成外延性硅区域(2)。以这种方式，可以很容易地获得外延性硅区域(2)(优选为纳米线)，以自对准方式对其提供了金属硅化物接触(区域)，其可以形成半导体元件(E)(例如晶体管)的一部分。
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公开(公告)号：CN101523607B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780036958.4
申请日：2007-10-03
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/165 , H01L29/201
CPC classification number: H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7391
Abstract: 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4)，从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱，积累层(20)以不同于底层(2)和盖层(22)的材料制成。
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公开(公告)号：CN101375380B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780003316.4
申请日：2007-01-24
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 雷德弗里德勒·胡尔克斯 , 普拉巴特·阿加瓦尔
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1054 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/47 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提出一种晶体管(21)，包括源极(24)和漏极(29)以及定位在源极和漏极之间的势垒区(27)。势垒区用半导体材料的本征或低掺杂区(26、28)与源极和漏极隔离。在势垒区与本征或低掺杂区的界面上形成势垒。栅电极(32)设置在势垒的附近，结果使势垒的有效高度和/或宽度能通过向栅电极施加适当的电压进行调制。
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公开(公告)号：CN101069296B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580040934.7
申请日：2005-11-24
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 汉斯·M·B·波依 , 卡伦·阿滕伯勒 , 雷德弗雷德斯·A·M·胡尔克斯 , 普拉巴特·阿加瓦尔 , 亨特里希·G·A·赫伊津 , 迈克尔·A·A·因赞特 , 杨·W·斯洛特布曼
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144
Abstract: 热可编程存储器，具有：热可编程电阻的可编程元件(20)，优选是相变材料；毗邻可编程材料的材料和熔断反熔丝(80)。这种熔断反熔丝具有被导电层(90，110)围绕的电介质层(100)，以允许横越电介质被施加的短暂高压，从而在制造过程中熔断电介质中的小孔，形成小的导电路径，其被用作用于编程材料的微小电加热器。由于通过孔的电流限制，为了切换到高电阻状态所必须加热材料的体积是非常小的。结果，编程功率可以是低的。
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