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公开(公告)号：CN101310389A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042885.5
申请日：2006-10-29
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
CPC classification number: H01L29/7606 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , Y10S977/936
Abstract: 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(6)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523607B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200780036958.4
申请日：2007-10-03
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/165 , H01L29/201
CPC classification number: H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7391
Abstract: 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4)，从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱，积累层(20)以不同于底层(2)和盖层(22)的材料制成。
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公开(公告)号：CN101310389B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680042885.5
申请日：2006-10-29
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
CPC classification number: H01L29/7606 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , Y10S977/936
Abstract: 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(3)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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公开(公告)号：CN100583447C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200680036092.2
申请日：2006-09-22
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 菲利普·默尼耶-贝亚尔 , 雷蒙德·J·达菲 , 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种具有衬底和包含双极晶体管的硅半导体主体的半导体器件(10)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区分开，所述中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，其位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧。根据本发明，所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。这种器件在中间区(22)处或在其内部具有非常陡峭的N型掺杂分布图(50)和非常陡峭的P型掺杂分布图(20)，并且由此具有较高截止频率(fr)的高频性能。优选地，发射极区(1)在其上半部被掺杂有砷注入，最后的掺杂分布图是在RTA之后形成的。本发明还包括一种制造根据本发明的器件(10)的方法。
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公开(公告)号：CN101523607A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036958.4
申请日：2007-10-03
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/165 , H01L29/201
CPC classification number: H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7391
Abstract: 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4)，从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱，积累层(20)以不同于底层(2)和盖层(22)的材料制成。
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公开(公告)号：CN101278402A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036092.2
申请日：2006-09-22
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 菲利普·默尼耶-贝亚尔 , 雷蒙德·J·达菲 , 普拉巴特·阿加瓦尔 , 戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/66242
Abstract: 本发明涉及一种具有衬底和包含双极晶体管的硅半导体主体的半导体器件(10)，该双极晶体管具有发射极区(1)、基极区(2)和集电极区(3)，所述各区通过提供适当的掺杂原子而分别是N型导电性的、P型导电性的和N型导电性的，其中所述基极区(2)包括硅和锗的混合晶体，一个硅的中间区(22)把所述基极区(2)与所述发射极区分开，所述中间区具有比所述发射极区(1)的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且其厚度小于发射极区(1)的厚度，并且所述发射极区(1)包括一个含有硅和锗的混合晶体的子区域，其位于发射极区(1)中的远离所述中间区(22)的一侧。根据本发明，所述含有硅和锗的混合晶体的子区域基本上穿过整个发射极区(1)延伸直到与中间区(22)接触，并且发射极区(1)的掺杂原子是砷原子。这种器件在中间区(22)处或在其内部具有非常陡峭的N型掺杂分布图(50)和非常陡峭的P型掺杂分布图(20)，并且由此具有较高截止频率(fr)的高频性能。优选地，发射极区(1)在其上半部被掺杂有砷注入，最后的掺杂分布图是在RTA之后形成的。本发明还包括一种制造根据本发明的器件(10)的方法。
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