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公开(公告)号：CN102007593B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980113523.4
申请日：2009-04-14
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/31053 , H01L21/31111 , H01L27/14621 , H01L27/14629
Abstract: 公开了一种在IC制造工艺中提供电介质材料(18)的方法，所述电介质材料(18)包括具有变化厚度的区(18’，18”)。所述方法包括：在电介质材料(18)的相应区(20’，20”)中形成多个图案，每个图案把电介质材料(18)相对于电介质材料移除步骤的敏感性增加预先确定的量并将电介质材料(18)暴露于电介质材料移除步骤。在实施例中，IC包括多个像素元件(12)和多个光干涉元件(24)，每个光干涉元件(24)包括第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)，电介质材料(18)的区将第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)分离开，每个光干涉元件(24)布置在所述像素元件(12)之一上，所述方法还包括：在包括多个像素元件的衬底(10)上的电介质层(14)中形成相应的第一反射镜元件(16)；在电介质层上沉积电介质材料；以及形成相应的第二反射镜元件，使得每个第二反射镜元件通过暴露的电介质材料与相应的第一反射镜元件分离开。因此，仅仅需要几个工艺步骤就可以获得具有包括不同厚度的区的电介质材料(18)层的IC。
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公开(公告)号：CN102054929A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010518292.X
申请日：2010-10-20
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , F21V29/70 , F21Y2115/10 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于调节发光二极管(LED)温度的设备。所述设备包括：热沉、LED底座以及安装在所述LED底座上的LED。所述LED底座被配置为响应于温度变化来改变形状，形状变化改变了LED相对于热沉的位置，以调节LED和热沉之间的热传递。LED底座可以包括诸如双金属条之类的层压部分。
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公开(公告)号：CN102162754A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010599896.1
申请日：2010-12-17
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: G01K7/01 , G01K15/00 , H05B33/089
Abstract: 本发明涉及用于校准半导体元件的结温度测量的校准电路、计算机程序产品和方法，其中测量半导体元件和参考温度传感器的结处的相应正向电压，并且通过使用参考温度传感器确定绝对周围温度，基于绝对周围温度和测量正向电压预测半导体元件的结温度。
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公开(公告)号：CN102007593A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113523.4
申请日：2009-04-14
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/31053 , H01L21/31111 , H01L27/14621 , H01L27/14629
Abstract: 公开了一种在IC制造工艺中提供电介质材料(18)的方法，所述电介质材料(18)包括具有变化厚度的区(18’，18”)。所述方法包括：在电介质材料(18)的相应区(20’，20”)中形成多个图案，每个图案把电介质材料(18)相对于电介质材料移除步骤的敏感性增加预先确定的量并将电介质材料(18)暴露于电介质材料移除步骤。在实施例中，IC包括多个像素元件(12)和多个光干涉元件(24)，每个光干涉元件(24)包括第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)，电介质材料(18)的区将第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)分离开，每个光干涉元件(24)布置在所述像素元件(12)之一上，所述方法还包括：在包括多个像素元件的衬底(10)上的电介质层(14)中形成相应的第一反射镜元件(16)；在电介质层上沉积电介质材料；以及形成相应的第二反射镜元件，使得每个第二反射镜元件通过暴露的电介质材料与相应的第一反射镜元件分离开。因此，仅仅需要几个工艺步骤就可以获得具有包括不同厚度的区的电介质材料(18)层的IC。
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公开(公告)号：CN102162754B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010599896.1
申请日：2010-12-17
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: G01K7/01 , G01K15/00 , H05B33/089
Abstract: 本发明涉及用于校准半导体元件的结温度测量的校准电路、计算机程序产品和方法，其中测量半导体元件和参考温度传感器的结处的相应正向电压，并且通过使用参考温度传感器确定绝对周围温度，基于绝对周围温度和测量正向电压预测半导体元件的结温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102356696A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012235.2
申请日：2010-02-25
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/086 , H05B33/0815 , H05B33/0848
Abstract: 公开了一种控制LED的方法，所述方法包括：在第一时间内使用DC电流驱动LED；在第二时间内中断DC电流使得第一时间与第二时间之和为一个时间段，确定在中断DC电流时LED的至少一个特性；以及在后续时间段期间取决于至少一个特性对DC电流进行控制。因此本发明的有利之处在于DC操作的简单性。通过在DC模式中而不是例如PWM模式中操作LED，避免了能够调节占空比所需的要求。通过在DC电流中包括中断，可以使用LED自身作为传感器以确定LED的特性。因此避免了对额外传感器的需求。
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公开(公告)号：CN102356696B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080012235.2
申请日：2010-02-25
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/086 , H05B33/0815 , H05B33/0848
Abstract: 公开了一种控制LED的方法，所述方法包括：在第一时间内使用DC电流驱动LED；在第二时间内中断DC电流使得第一时间与第二时间之和为一个时间段，确定在中断DC电流时LED的至少一个特性；以及在后续时间段期间取决于至少一个特性对DC电流进行控制。因此本发明的有利之处在于DC操作的简单性。通过在DC模式中而不是例如PWM模式中操作LED，避免了能够调节占空比所需的要求。通过在DC电流中包括中断，可以使用LED自身作为传感器以确定LED的特性。因此避免了对额外传感器的需求。
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公开(公告)号：CN102112916A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129959.2
申请日：2009-07-27
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 伯努特·巴泰娄 , 拉杜·苏尔代努 , 帕斯卡尔·贝思肯 , 戴维·范·斯滕温克尔 , 菲特·恩古耶恩霍安
CPC classification number: G02F1/19 , G02F1/0147 , G02F1/23 , G02F2203/10 , G09G2300/00
Abstract: 本发明涉及一种包含基板的显示器件，该基板具有像素阵列。每个像素包含基板中的孔阑阵列，孔阑阵列中每个孔阑的最大开孔尺寸小于要经过孔阑透射的光的波长。改变孔阑的有效介电常数和/或基板的介电常数，由此在透射可见光谱频率中的至少一个频率和实质上不投射可见光谱中的频率之间改变像素的光透射特性。
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公开(公告)号：CN102112916B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980129959.2
申请日：2009-07-27
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 伯努特·巴泰娄 , 拉杜·苏尔代努 , 帕斯卡尔·贝思肯 , 戴维·范·斯滕温克尔 , 菲特·恩古耶恩霍安
CPC classification number: G02F1/19 , G02F1/0147 , G02F1/23 , G02F2203/10 , G09G2300/00
Abstract: 本发明涉及一种包含基板的显示器件，该基板具有像素阵列。每个像素包含基板中的孔阑阵列，孔阑阵列中每个孔阑的最大开孔尺寸小于要经过孔阑透射的光的波长。改变孔阑的有效介电常数和/或基板的介电常数，由此在透射可见光谱频率中的至少一个频率和实质上不投射可见光谱中的频率之间改变像素的光透射特性。
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