深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品

    公开(公告)号:CN119579845B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510112974.7

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本申请涉及结构光应用技术领域,公开了一种深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品,包括:基于预设的结构光阵列计算待测图像的视差信息;根据视差信息确定待测图像的初始深度信息,并基于初始深度信息对视差信息进行重建,得到真实视差信息;根据真实视差信息和结构光阵列的特征校准距离建立深度信息联合重建计算模型;通过深度信息联合重建计算模型对初始深度信息进行重建,输出目标深度信息。利用特征校准距离的多样性,为视差计算提供了更为灵活的深度参考信息,并通过深度信息联合重建模型在计算深度时充分利用更多的约束条件,有效减轻误差的累积效应,并提高深度测量精度,增强了深度测量的准确性和可靠性。

    C2F模式下的机械臂控制方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN119871470A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510394286.4

    申请日:2025-03-31

    Abstract: 本申请公开了C2F模式下的机械臂控制方法、装置、设备及介质,方法包括:对机械臂控制设备中的机械臂进行数据采集,得到多个传感器数据;基于预设的聚类算法对所有传感器数据进行数据分组,得到多个数据组和聚类标签,并根据每个聚类标签对每个数据组进行聚类评估,得到聚类数据;对聚类数据进行特征学习,得到高层次特征向量,并根据高层次特征向量和聚类标签生成与聚类数据对应的任务模板;获取机械臂执行当前时刻的任务所反馈的反馈信息;根据反馈信息和高层次特征向量调整任务模板,生成下一时刻的目标任务,并根据目标任务控制机械臂。在本发明实施例中,能够根据反馈动态生成任务,提高生产的灵活性和适应性。

    深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品

    公开(公告)号:CN119579845A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202510112974.7

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本申请涉及结构光应用技术领域,公开了一种深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品,包括:基于预设的结构光阵列计算待测图像的视差信息;根据视差信息确定待测图像的初始深度信息,并基于初始深度信息对视差信息进行重建,得到真实视差信息;根据真实视差信息和结构光阵列的特征校准距离建立深度信息联合重建计算模型;通过深度信息联合重建计算模型对初始深度信息进行重建,输出目标深度信息。利用特征校准距离的多样性,为视差计算提供了更为灵活的深度参考信息,并通过深度信息联合重建模型在计算深度时充分利用更多的约束条件,有效减轻误差的累积效应,并提高深度测量精度,增强了深度测量的准确性和可靠性。

    测试激励生成方法、装置以及SoC系统级验证系统

    公开(公告)号:CN117669434A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311481686.6

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本申请提供了一种测试激励生成方法、装置以及SoC系统级验证系统,该测试激励生成方法包括获取基于硬件描述语言定义的测试用例,调用激励生成器根据测试用例生成随机测试激励,获取针对待测SoC的处理器架构预先配置好的指令生成需求信息,根据指令生成需求信息将随机测试激励转换为可被所述待测SoC中的处理器执行的测试指令,最后将测试指令发送至待测SoC的存储器中。本申请通过调用激励生成器根据基于硬件描述语言定义的测试用例生成随机测试激励并将随机测试激励转换为处理器指令,相较于传统SoC系统级验证中的激励生成方法,利用硬件描述语言替代了编译器的功能,能够提高随机测试激励的质量和支持问题定位的自动校验。

    动态可扩展的组相联高速缓存方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN115357196A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211068093.2

    申请日:2022-08-31

    Inventor: 高峰 吴喜广 张凡

    Abstract: 本申请公开了一种动态可扩展的组相联高速缓存方法、装置、设备以及存储介质,属于数据处理领域。所述方法包括:根据待缓存数据的写入地址,从数据缓存器中确定出第一缓存组;其中,所述数据缓存器还包括至少一个共享缓存块;判断所述第一缓存组对应的所有缓存块中是否有剩余存储空间;若没有剩余存储空间,则从至少一个共享缓存块中筛选出至少一个临时缓存块;其中,所述临时缓存块为未存储数据的共享缓存块;将所述临时缓存块关联至所述第一缓存组,并返回所述临时缓存块的地址信息;根据所述地址信息,将所述待缓存数据写入所述临时缓存块。本申请提高了资源利用率。

    一种故障注入的CPU异常功能验证方法

    公开(公告)号:CN115168131A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210918799.7

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种故障注入的CPU异常功能验证方法,属于处理器验证领域,将测试用例经编译器处理转换为目标汇编文件,所述目标汇编文件至少包括第一汇编代码;确定即将插入所述第一汇编代码中的目标异常代码及其插入地址;修改原始异常处理程序和原始跳转代码;在所述第一汇编代码中的所述插入地址处插入所述目标异常代码,得到第二汇编代码;编译所述第二汇编代码,并将所述第二汇编代码经汇编器处理转换为二进制格式,以供所述仿真模型以及所述待测CPU执行所述二进制文件;将所述仿真模型以及所述待测CPU的执行结果进行比对,根据比对结果验证待测CPU的功能是否正常,即可完成待测CPU的验证,本申请能够充分验证CPU的功能。

    处理器验证方法、设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN112231164B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202011446163.4

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本申请公开了一种处理器验证方法、设备及可读存储介质,所述处理器验证方法包括:获取测试用例对应的配置信息,并生成所述测试用例对应的测试覆盖目标信息,进而将所述配置信息解析为指令约束,并基于所述测试覆盖目标信息,对基于所述指令约束生成的测试指令流进行覆盖率分析,获得覆盖率分析结果,进而基于所述覆盖率分析结果,对所述测试覆盖目标信息和所述指令约束进行更新,以进行指令发包,获得目标指令流,进而基于所述目标指令流进行处理器验证,获得目标验证结果。本申请解决了处理器验证时测试效率低的技术问题。

    异构网络互联通信方法和装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118972469A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411053538.9

    申请日:2024-08-01

    Abstract: 本申请实施例提供了一种异构网络互联通信方法和装置、电子设备及存储介质。该方法包括:获取原始数据包信息;根据原始数据包信息,确定网络通讯类型、数据包长度、可选字段类型;提取原始数据包信息的五元组信息,并计算得到对应的哈希值;获取预设的网络隧道模块的第一计数值和协议转换模块的第二计数值;当网络通讯类型为异构网络通讯,根据第一计数值、第二计数值、数据包长度和可选字段类型,选取网络隧道模块或协议转换模块对原始数据包信息进行转换,得到目标数据包信息;根据哈希值,更新网络隧道模块的第一计数值或协议转换模块的第二计数值。本申请实施例能够提高异构网络互联转换配置的灵活性和可拓展性,提高异构网络的通讯效果。

    光电集成激光器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117335267A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311267902.7

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器,涉及集成光电子器件技术领域,本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层,所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜,所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形,然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜,可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整,减小其模斑,并改变其发散角,从而提高耦合效率。

    多材料体系光电集成平台及其制备方法

    公开(公告)号:CN116742469A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310853423.7

    申请日:2023-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种多材料体系光电集成平台及其制备方法,属于光电集成技术领域,包括自下而上依次设置的绝缘体衬底、二氧化硅过渡层、硅器件层、氮化硅器件层,以及覆盖硅器件层和氮化硅器件层的二氧化硅包层;硅器件层上集成有锗硅光电探测器、III‑V族材料激光器和硅‑氮化硅波导耦合器;氮化硅器件层上集成有铌酸锂光电调制器和氮化硅无源光子器件;第一电器件位于铌酸锂光电调制器上方,通过互连金属与铌酸锂光电调制器互连;第二电器件位于锗硅光电探测器上方,通过互连金属与锗硅光电探测器互连。本发明采用绝缘体材料作为衬底,结合多材料体系发挥各自优势的特点,可以满足多功能、高性能的光电集成需求。

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