公开(公告)号：CN119200284A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411484066.2

申请日：2024-10-23

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 刘子晨 ,  贺志学 ,  刘政通 ,  黄林博杰 ,  李仲怡 ,  李超 ,  王利 ,  王磊 ,  余少华

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02B6/293 ,  G02B1/00

Abstract: 本申请公开了一种谐振调控装置、光开关以及波长选择开关，涉及光学技术领域，所述谐振调控装置包括：第一电极结构、第二电极结构以及液晶材料；通过在两个电极之间设置液晶材料，并在液晶材料与两个电极之间分别设置配向层以及由多个超材料单元构成的超表面层。在改变两个电极之间的电场时，液晶材料的折射率可以快速跟随电场快速变化，同时各超材料单元可以基于周围液晶材料的折射率，快速改变外部摄入液晶材料的光纤的输入光场相位。由于可以通过控制两个电极之间的电场来快速改变输入光场相位，提高了光场调控速度，从而可以提高光通信的效率以及速度。

公开(公告)号：CN117348166A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311353731.X

申请日：2023-10-18

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 刘子晨 ,  岳夫永 ,  王利 ,  李超 ,  贺志学 ,  王磊 ,  余少华

IPC: G02B6/35 ,  G02B6/293 ,  G02B6/32 ,  G02B6/27

Abstract: 本发明公开一种波长选择开关及可重构光分插复用器，所述波长选择开关包括光纤阵列、光纤准直器阵列、偏振控制单元、光束整形系统、透射光栅、切换聚焦单元、消色差处理单元、控制引擎、以及多个压电晶体结构，多个所述压电晶体结构与所述光纤阵列的多根光纤一一对应设置，多个所述压电晶体结构具有在所述光纤的延伸方向上的两端，所述压电晶体结构的一端固定，各所述压电晶体结构的另一端与对应的所述光纤连接，各所述压电晶体结构的另一端在所述波长选择开关的高度方向上产生微小位移以带动对应的所述光纤偏转。本技术方案，在实现多进多出的波长选择开关功能的同时，光路精简、可靠性高。

公开(公告)号：CN117348165A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311350537.6

申请日：2023-10-18

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 刘子晨 ,  岳夫永 ,  王利 ,  贺志学 ,  王磊 ,  余少华

IPC: G02B6/35 ,  G02B6/293 ,  G02B6/32 ,  G02B6/27

Abstract: 本发明公开一种波长选择开关及可重构光分插复用器，所述波长选择开关，包括光纤阵列、光纤准直器阵列功能组件、偏振分离功能组件、偏振旋转功能组件、曲面反射镜功能组件、柱透镜功能组件、棱栅功能组件、以及控制引擎；其中，所述光纤准直器阵列功能组件、所述偏振分离功能组件、所述偏振旋转功能组件、所述曲面反射镜功能组件、所述柱透镜功能组件、所述棱栅功能组件的至少其中之一包括超表面结构，所述超表面结构包括衬底、以及布设于所述衬底的金属或电介质微结构阵列。本技术方案，提高波长选择开关的性能、减小波长选择开关的体积。

公开(公告)号：CN117335267A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311267902.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 邓舒鹏 ,  聂骁敏 ,  刘政通 ,  张晨 ,  王利 ,  王磊 ,  高峰 ,  侯天聪 ,  贺志学

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器，涉及集成光电子器件技术领域，本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层，所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形，然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整，减小其模斑，并改变其发散角，从而提高耦合效率。