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公开(公告)号：CN113162685B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110202688.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/079 , H04B10/11
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种片上波前传感器、光芯片及通信设备。该片上波前传感器包括：天线阵列对接收到的空间光进行分隔，以获取多个子光斑；参考光源模块生成多个分束本征光；相移器阵列对分束本征光进行相移处理，以获得参考光；光检测模块根据参考光与子光斑进行相干平衡探测，以获取各子光斑对应的光电流。本发明通过天线阵列耦合入射波前，将每根天线接收到的光斑与经过分束后的本征光进行相干平衡探测，得到每个光斑的强度和相位信息，并转换为光电流信号。光电流信号经过解调后，可以动态测定入射波前，从而表征出波前畸变和强度分布。本发明灵敏度高，适用于光芯片，尺寸小，易装配，可以满足小型化和高集成度的需求。
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公开(公告)号：CN117434753A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311470225.9
申请日：2023-11-06
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开一种硅光热光相移器及制备方法，包括衬底、氧化硅绝缘层、波导层、氧化硅盖层和热电极以及金属膜层；所述氧化硅绝缘层贴设于所述衬底设置；波导层贴设于所述氧化硅绝缘层远离所述衬底的一侧；所述氧化硅盖层设于所述波导层背离所述氧化硅绝缘层的一侧，并覆盖于所述波导层周侧；所述热电极设置于所述氧化硅盖层背离所述氧化硅绝缘层的一侧，所述金属膜层贴设于所述氧化硅盖层，并位于所述热电极的周侧。本方案通过在热电极的周侧分别设置有高散热系数性能的金属膜层，增加金属膜层散热方式，加快了硅光热光相移器的散热速度，提升了硅光热光相移器的热导率，进一步加快硅光热光相移器的调节速度；与CMOS工艺兼容并可大规模生产。
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公开(公告)号：CN113162696B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110202689.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/61
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种片上自适应光接收机系统、光芯片及通信设备，应用于光通信，片上自适应光接收机系统包括：天线阵列对接收到的空间光进行分隔，以获取多个子光斑；光学相控阵对子光斑进行相移处理及合束处理，以获取合束光；光接收模块对合束光进行解复用，以获得信标光；光接收模块检测信标光的强度信息，根据强度信息生成反馈信号；光学相控阵根据反馈信号对子光斑进行补偿相移处理及强度均衡处理，并将补偿后的补偿合束光输出至光接收模块。通过天线阵列实现大角度范围接收，利用合束后的光强度作为反馈，控制相移器进行相位补偿，克服湍流对信号光产生的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113162685A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110202688.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/079 , H04B10/11
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种片上波前传感器、光芯片及通信设备。该片上波前传感器包括：天线阵列对接收到的空间光进行分隔，以获取多个子光斑；参考光源模块生成多个分束本征光；相移器阵列对分束本征光进行相移处理，以获得参考光；光检测模块根据参考光与子光斑进行相干平衡探测，以获取各子光斑对应的光电流。本发明通过天线阵列耦合入射波前，将每根天线接收到的光斑与经过分束后的本征光进行相干平衡探测，得到每个光斑的强度和相位信息，并转换为光电流信号。光电流信号经过解调后，可以动态测定入射波前，从而表征出波前畸变和强度分布。本发明灵敏度高，适用于光芯片，尺寸小，易装配，可以满足小型化和高集成度的需求。
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公开(公告)号：CN113031362A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110253601.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种可见光稀疏阵波导光学相控阵，包括：光耦合器：用于对获取的光信号进行耦合处理；光分束器：用于对经过耦合处理的光信号进行分光处理，得到子信号；相移阵列：与所述光分束器连接，用于对所述子信号的相位进行调控，得到目标子信号；波导阵列：用于对经过耦合处理的光信号、所述子信号以及所述目标子信号进行传输；稀疏天线阵列：与所述相移阵列连接，用于向自由空间散射所述目标子信号。本发明通过稀疏阵优化光学相控阵的阵元，解决了光学相控阵在可见光波段的栅瓣问题，实现大视场扫描。
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公开(公告)号：CN117335267A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311267902.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器，涉及集成光电子器件技术领域，本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层，所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形，然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整，减小其模斑，并改变其发散角，从而提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN116742469A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310853423.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种多材料体系光电集成平台及其制备方法，属于光电集成技术领域，包括自下而上依次设置的绝缘体衬底、二氧化硅过渡层、硅器件层、氮化硅器件层，以及覆盖硅器件层和氮化硅器件层的二氧化硅包层；硅器件层上集成有锗硅光电探测器、III‑V族材料激光器和硅‑氮化硅波导耦合器；氮化硅器件层上集成有铌酸锂光电调制器和氮化硅无源光子器件；第一电器件位于铌酸锂光电调制器上方，通过互连金属与铌酸锂光电调制器互连；第二电器件位于锗硅光电探测器上方，通过互连金属与锗硅光电探测器互连。本发明采用绝缘体材料作为衬底，结合多材料体系发挥各自优势的特点，可以满足多功能、高性能的光电集成需求。
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公开(公告)号：CN113162696A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110202689.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/61
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种片上自适应光接收机系统、光芯片及通信设备，应用于光通信，片上自适应光接收机系统包括：天线阵列对接收到的空间光进行分隔，以获取多个子光斑；光学相控阵对子光斑进行相移处理及合束处理，以获取合束光；光接收模块对合束光进行解复用，以获得信标光；光接收模块检测信标光的强度信息，根据强度信息生成反馈信号；光学相控阵根据反馈信号对子光斑进行补偿相移处理及强度均衡处理，并将补偿后的补偿合束光输出至光接收模块。通过天线阵列实现大角度范围接收，利用合束后的光强度作为反馈，控制相移器进行相位补偿，克服湍流对信号光产生的影响。
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