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公开(公告)号：CN119579845B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510112974.7
申请日：2025-01-24
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请涉及结构光应用技术领域，公开了一种深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品，包括：基于预设的结构光阵列计算待测图像的视差信息；根据视差信息确定待测图像的初始深度信息，并基于初始深度信息对视差信息进行重建，得到真实视差信息；根据真实视差信息和结构光阵列的特征校准距离建立深度信息联合重建计算模型；通过深度信息联合重建计算模型对初始深度信息进行重建，输出目标深度信息。利用特征校准距离的多样性，为视差计算提供了更为灵活的深度参考信息，并通过深度信息联合重建模型在计算深度时充分利用更多的约束条件，有效减轻误差的累积效应，并提高深度测量精度，增强了深度测量的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119579845A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510112974.7
申请日：2025-01-24
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请涉及结构光应用技术领域，公开了一种深度信息重建方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品，包括：基于预设的结构光阵列计算待测图像的视差信息；根据视差信息确定待测图像的初始深度信息，并基于初始深度信息对视差信息进行重建，得到真实视差信息；根据真实视差信息和结构光阵列的特征校准距离建立深度信息联合重建计算模型；通过深度信息联合重建计算模型对初始深度信息进行重建，输出目标深度信息。利用特征校准距离的多样性，为视差计算提供了更为灵活的深度参考信息，并通过深度信息联合重建模型在计算深度时充分利用更多的约束条件，有效减轻误差的累积效应，并提高深度测量精度，增强了深度测量的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118778298B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411266190.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种高消光比高速电光调制器芯片，该高消光比高速电光调制器芯片包括：任意比例功分器和行波电极结构；任意比例功分器的输入端与耦合器连接，任意比例功分器的输出端与行波电极结构连接，任意比例功分器以及行波电极结构还分别与信号发生器连接；任意比例功分器接收信号发生器的功率控制信号，将耦合器输入的光信号调节为预设功率比例的两路调整光信号，将两路调整光信号传输至行波电极结构；行波电极结构接收信号发生器的高频微波信号，根据高频微波信号对调整光信号进行调制后传出。通过调整两个波导不同的功率分配比例实现两臂光信号功率的调节，产生相对更高的静态消光比和动态消光比。
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公开(公告)号：CN118818818A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411289080.7
申请日：2024-09-14
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种双环并联行波电极电光调制器芯片，该双环并联行波电极电光调制器芯片包括：总线波导、行波电极结构以及带跑马场结构相同的两个微环；第一微环与第二微环均与总线波导并联耦合，第一微环的直波导设置在行波电极结构的第一调制区域，第二微环的直波导设置在行波电极结构的第二调制区域；行波电极结构，用于响应信号发生器产生的一对差分信号，在第一调制区域产生第一电场，对第一微环的光信号进行调制，同时在第二调制区域产生与第一电场方向相同的第二电场，对第二微环的光信号进行调制。采用行波电极对环对电光调制器光波导中的光信号进行调制，从而拓展环对调制器的带宽，实现高速电光调制。
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公开(公告)号：CN118778324A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411251849.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请公开了一种宽带差分驱动电光调制器芯片，涉及光通信技术领域，公开的宽带差分驱动电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导、下臂波导以及电光频域均衡器；电极结构中存在由多路差分信号形成的差分电场；上臂波导和下臂波导分别处于方向相反的差分电场中；在电光频域均衡器中，上臂波导和下臂波导所处的差分电场方向反转。本申请在宽带差分驱动电光调制器芯片中采用多路差分信号形成差分电场，并将上臂波导和下臂波导设于差分电场中，实现了将差分信号调制到光信号中，能够有效避免调制过程受到外部电场的影响，提升了器件抗干扰能力，进而提升了光通信系统的传输性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118068484A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410322258.7
申请日：2024-03-20
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明提出一种多模干涉耦合器及其制备方法，其中，多模干涉耦合器包括高折射率薄膜结构和低折射率结构，高折射率薄膜结构用于传输光场；低折射率结构设于高折射率薄膜结构的表面，用于使光场局限于高折射率薄膜结构内。本申请的技术方案，能够提供一种宽频谱响应的多模干涉耦合器。
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公开(公告)号：CN117335267A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311267902.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器，涉及集成光电子器件技术领域，本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层，所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形，然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整，减小其模斑，并改变其发散角，从而提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN117310877A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311138916.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明提出一种薄膜铌酸锂波导边缘耦合器，包括：衬底、包层以及铌酸锂波导，包层设于衬底的一表面；铌酸锂波导设于衬底与包层之间，铌酸锂波导包括依次连接的多叉型波导结构和双层波导结构，多叉型波导结构背离双层波导结构的一端形成入射端面，用于匹配标准单模光纤模场，双层波导结构背离多叉型波导结构的一端形成出射端面。本申请的技术方案，能够提供一种耦合损耗小、耦合效率高的边缘耦合器。
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公开(公告)号：CN119846835A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510224038.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请公开了一种基于相位恢复优化的结构光生成方法、装置及设备，涉及光电技术领域，该方法包括：基于目标强度分布的先验信息，对初始随机相位进行相位恢复，得到优化相位分布；基于所述优化相位分布，构建超表面硅基纳米柱阵列；基于所述超表面硅基纳米柱阵列，对输入光进行相位调制，得到目标结构光。通过上述方式，设计相位恢复优化算法，有效地利用目标强度分布的先验信息对相位恢复的过程进行优化，提高相位恢复的精度和计算效率，并利用超表面硅基纳米柱阵列来实现精确的相位调制，从而生成高均匀性和高衍射效率的结构光，能够显著提高结构光的质量和性能。
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公开(公告)号：CN118778324B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411251849.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请公开了一种宽带差分驱动电光调制器芯片，涉及光通信技术领域，公开的宽带差分驱动电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导、下臂波导以及电光频域均衡器；电极结构中存在由多路差分信号形成的差分电场；上臂波导和下臂波导分别处于方向相反的差分电场中；在电光频域均衡器中，上臂波导和下臂波导所处的差分电场方向反转。本申请在宽带差分驱动电光调制器芯片中采用多路差分信号形成差分电场，并将上臂波导和下臂波导设于差分电场中，实现了将差分信号调制到光信号中，能够有效避免调制过程受到外部电场的影响，提升了器件抗干扰能力，进而提升了光通信系统的传输性能。
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